[发明专利]对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪及其判断方法

权利要求书

1.对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪：包括脑电信号检测电路和头皮阻抗检测电路，所述脑电信号检测电路设有至少一组通过导联线连接多个接触头皮的被测电极和一个参考电极的脑电信号接口；其特征在于，所述头皮阻抗检测电路包括高频激励回路和头皮阻抗获取电路；所述高频激励回路包括占空比为1：1的方波发生器和多路阻容充放电电路，所述阻容充放电电路由第一电阻和第一电容串联组成，所述方波发生器输出连接一个反相器，反相器的输出连接一路阻容充放电电路电阻端，其余阻容充放电电路电阻端并联后与方波发生器输出连接，所述并联的阻容串连电路电容端分别与被测电极接口连接，所述一路阻容充放电电路电容端与参考电极接口连接；被测电极接口和参考电极接口同时连接头皮阻抗获取电路的输入，头皮阻抗获取电路的输出将头皮电阻抗信号传递至微处理器。

2.根据权利要求1所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪，其特征在于，所述方波发生器是占空比为1：1的频率为60KHz至70KHz方波发生器。

3.根据权利要求1所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪，其特征在于，所述方波发生器是占空比为1：1的频率为64KHz方波发生器。

4.根据权利要求1所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪，其特征在于，所述第一电阻为1兆欧姆，所述第一电容为4.7纳法拉。

5.根据权利要求1所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪，其特征在于，所述阻抗获取电路顺序连接包括选频电路、差分放大电路、解调放大电路和AD转换电路；所述选频电路包括多路阻容电路，所述阻容电路由第二电容串接第二电阻组成，第二电阻的一端连接模拟电源负极，所述参考电极与一路阻容电路串接，所述多个被测电极分别与其余的阻容电路串接，所述第二电容和第二电阻的连接点作为输出连接一个跟随电路，所述与多个被测电极连接的多个跟随电路连接一个多路选一模拟开关，多路选一模拟开关的输出连同与参考电极连接的跟随电路输出连接差分放大电路的差分输入。

6.根据权利要求5所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪，其特征在于，所述第二电容为4.7纳法拉，所述第二电阻为20千欧姆。

7.根据权利要求5所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪，其特征在于，所述解调放大电路包括解调电路和信号放大电路，所述解调电路包括第三电阻、第三电容、第四电阻、第五电阻、第四电容；所述第三电阻与第三电容一端连接，第三电容另一端分别连接第四电阻和第五电阻一端，第五电阻另一端连接第四电容一端，第四电阻和第四电容另一端连接模拟电源负极，第五电阻与第四电容的连接端连接信号放大电路的输入。

8.根据权利要求7所述的对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪，其特征在于，所述第三电阻为1千欧姆，所述第三电容为100皮法拉，第四电阻为249千欧姆，第五电阻为10千欧姆，第四电容为62皮法拉。

9.基于对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪的电极接触状态判断方法：包括脑电信号检测电路和头皮阻抗检测电路，所述脑电信号检测电路至少有一组接口通过导联线连接多个接触头皮的被测电极和一个参考电极；所述头皮阻抗检测电路包括高频激励回路和头皮阻抗获取电路；所述高频激励回路包括占空比为1：1的60KHz至70KHz方波发生器和多路阻容充放电电路，所述阻容充放电电路由第一电阻和第一电容串联组成，所述方波发生器输出连接一个反相器，反相器的输出连接一路阻容充放电电路电阻端，其余阻容充放电电路电阻端并联后与方波发生器输出连接，所述并联的阻容串连电路电容端分别与被测电极连接，所述一路阻容充放电电路电容端与参考电极连接；被测电极和参考电极同时连接头皮阻抗获取电路的输入，头皮阻抗获取电路的输出将头皮电阻抗信号传递至微处理器；其特征在于，所述阻抗测量方法包括：有一个头皮阻抗大小判定阈值表，由头皮阻抗检测电路获取被测电极和参考电极之间头皮阻抗数值，将阻抗数值与阈值表进行比较判定，当阻抗数值符合接触脱落阈值时，输出一个电极接触脱落信号，当阻抗数值符合接触不良阈值时，输出一个电极接触不良信号，当阻抗数值符合接触良好阈值时，输出一个电极接触良好信号。

10.根据权利要求9所述的基于对电极与头皮接触状态进行判断的脑电图仪的电极接触状态判断方法：其特征在于，所述方法进一步是：还有一个头皮阻抗检测电路连接多个被测电极与脑电信号检测电路连接的多个被测电极一一对应表，将所述头皮阻抗检测电路对被测电极接触阻抗的判定结果与脑电信号检测电路对被测电极采集的脑电信号一一对应输出到外部设备。