[发明专利]互连结构的制造方法

权利要求书

1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成具有第一开口的层间介质层，在所述第一开口内填充导电层形成第一互连结构，对所述导电层进行化学机械抛光至所述层间介质层，所述层间介质层表面具有化学机械抛光残留物；

对所述层间介质层进行紫外线处理，去除所述层间介质层表面的所述残留物；

对所述层间介质层进行紫外线处理后，在所述层间介质层上形成多孔介质层；

在所述多孔介质层上形成图形化硬掩膜层，以所述图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述多孔介质层，在多孔介质层内形成第二开口，所述第二开口与第一开口相通，在所述第二开口内填充导电层形成第二互连结构。

2.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行紫外线处理的方法包括：

用紫外线照射所述层间介质层，所述紫外线的波长为200nm～400nm，紫外照射装置的功率为50W～100W，紫外线对所述层间介质层的照射时间为63s～77s。

3.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行紫外线处理的步骤之后，在所述层间介质层上形成多孔介质层的步骤之前还包括步骤：

对所述层间介质层进行臭氧处理。

4.如权利要求3所述的互连结构的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行臭氧处理在腔室中进行，具体参数包括：腔室气压为0.5torr～7torr,臭氧气体的流量为50sccm～1500sccm,处理的时间为25s～100s，腔室功率为100W～1000W。

5.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述在所述层间介质层上形成多孔介质层的方法包括：

在所述层间介质层上形成介质层；

对所述介质层进行紫外线处理，形成多孔介质层。

6.如权利要求5所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述对所述介质层进行紫外线处理的方法包括：

采用紫外线照射所述介质层，紫外线的波长范围为200nm～400nm，紫外照射装置的功率为50W～100W，紫外线对所述介质层的照射时间为63s～77s。

7.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述第一开口包括通孔或沟槽中的至少一种。

8.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述导电层为铜或钨。

9.如权利要求3所述的互连结构的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行臭氧处理后，在所述层间介质层上形成多孔介质层之前还包括步骤：在所述层间介质层表面形成阻挡层，所述阻挡层用于防止所述层间介质层中的导电层扩散。

10.如权利要求9所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为掺氮的碳化硅。

11.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述层间介质层为单层或叠层结构，当所述层间介质层为单层结构时，所述层间介质层的材料为SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON中的一种；当所述层间介质层为叠层结构时，所述层间介质层为SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON层任意组合的叠层结构。

12.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述多孔介质层为单层或叠层结构，当所述多孔介质层为单层结构时，所述多孔介质层的材料为SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON中的一种；当所述多孔介质层为叠层结构时，所述多孔介质层的材料为SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON层任意组合的叠层结构。

13.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层为单层结构或叠层结构，当硬掩膜层为单层结构时，所述硬掩膜层的材料为SiCOH；当硬掩膜层为双层结构时，所述硬掩膜层底层材料为SiCOH，顶层材料为正硅酸乙酯。