[发明专利]一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310105833.X 申请日: 2013-03-28
公开(公告)号: CN103214268A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 李贺军;陈梓山;付前刚;褚衍辉 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B41/85 分类号: C04B41/85
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 增强 sic 耐磨 涂层 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,具体涉及一种在炭/炭(C/C)复合材料或者石墨材料表面制备SiC纳米线增强SiC耐磨涂层的方法。

背景技术

C/C复合材料具有低密度、高比强、高比模、低热膨胀系数、耐热冲击等一系列优异性能,尤其是这种材料的强度随温度的升高不降反升的独特性能,使其作为热结构件使用具有其他材料无法比拟的优势。然而,C/C复合材料在高温氧化气氛中极容易被氧化。带有SiC涂层的C/C复合材料克服了C/C复合材料在高温有氧环境下极易氧化的缺点,充分发挥了C/C复合材料低密度、高比强度、低热膨胀系数、高温性能好等优点。这种材料有望在高温活动部件中(如活塞、高温阀、高温轴承等)获得应用。然而,文献1“Tribological behaviors of SiC/h-BN composite coating at elevated temperatures,Chen Zishan,Li Hejun,Fu Qiangang,Qiang Xinfa,Tribology International56(2012)58-65”提出采用包埋法制备SiC耐磨涂层,但在800℃下C/C复合材料表面的SiC涂层与SiC配副对摩过程中由于脆性断裂而导致涂层剥落失效。

发明内容

要解决的技术问题

为了避免现有技术的不足之处,本发明提出一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,以克服现有的C/C复合材料表面SiC涂层在高温下容易脆性断裂而导致涂层剥落失效的缺陷。

技术方案

一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,其特征在于步骤如下:

步骤1、预处理C/C复合材料:将C/C复合材料采用砂纸打磨抛光,然后依次分别用水和无水乙醇超声清洗15-20min,在空气中晾干或者烘干;

步骤2、在C/C复合材料表面制备多孔SiC纳米线层:分别称取质量百分比为10-20%的Si粉,15-30%的C粉,55-75%的SiO2粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2-4小时;

步骤3:然后将步骤2制备好的粉料放入石墨坩埚中,并将步骤1处理的C/C复合材料用碳绳捆绑后悬挂在石墨坩埚内的粉料上方,将石墨坩埚放入真空加热炉中,以5-10℃/min升温速度将炉温从室温升至1600-1700℃,保温1-3小时;随后关闭电源自然冷却至室温,得到含SiC纳米线的C/C复合材料;全程氩气保护;

步骤4、在含SiC纳米线的C/C复合材料表面制备SiC涂层:称取质量百分比为10-20%的Si粉,80-90%的C粉,5-15%的Al2O3粉,置于松脂球磨罐中,球磨混合处理2-4小时后烘干;

步骤5:将步骤4制备的粉料铺于石墨坩埚底部,接着将含SiC纳米线的C/C复合材料放入坩埚里粉料表面,再在上面铺满步骤4制备的粉料直至将SiC纳米线的C/C复合材料没与粉料之中;

步骤6:将石墨坩埚放入空加热炉中,以氩气作为保护气体,以5-10℃/min升温速度将炉温从室温升至1800-2100℃,保温1-3小时;随后关闭电源自然冷却至室温。

所述的Si粉的纯度为99.5%、粒度为300目。

所述的C粉的纯度为99%,粒度为320目。

所述的SiO2粉的纯度为分析纯、粒度为300目。

所述的Al2O3粉的纯度为分析纯、粒度为300目。

有益效果

本发明提出的一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法,在C/C复合材料表面原位生长SiC纳米线,纳米线的添加使涂层的断裂韧性提高,降低SiC涂层在高温摩擦过程中的脆性断裂,进而提高涂层的耐磨性能。

本发明的有益效果:在C/C复合材料表面制备了多孔SiC纳米线层,利用SiC纳米超高的强度和弹性模量以及其于SiC涂层基体的良好结合力,有效提高了SiC涂层的断裂韧性,从而降低了SiC涂层高温磨损率,有利于增强涂层的耐磨性能。添加SiC纳米线后,SiC涂层在800℃下的磨损率从1.51×10-3mm3·N-1·m-1降低至1.83×10-4mm3·N-1·m-1,降低了一个数量级。

附图说明

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