[发明专利]一种LED显示屏及其制作方法有效
申请号: | 201310103906.1 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN103165038A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 毕少强 | 申请(专利权)人: | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | G09F9/33 | 分类号: | G09F9/33;H01L33/48 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201306 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 显示屏 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及LED制造技术领域,尤其涉及一种LED显示屏及其制作方法
背景技术
随着LED技术的日益发展,LED器件因其节能、环保和长寿命的优点在各个领域中发挥越来越重要的作用。其中,LED显示屏领域的制造工艺也在越来越成熟,从最初的由LED珠粒列阵组成单基色显示屏到由LED芯片粒矩阵块组成的多彩及全彩的显示屏,LED显示屏已经广泛用于多媒体广告和公共告示显示。
由于LED显示屏通常由多个单独封装后LED芯片集成封装而成,由于本身结构以及封装工艺的限制,LED芯片之间不可避免的存在较大的间隙,对显示屏的像素密度和清晰度造成极大的影响,阻碍LED显示屏向高清显示领域的发展。
发明内容
本发明提供一种LED显示屏及其制作方法,用以解决传统LED显示屏像素密度和清晰度无法实现较高清晰度的显示问题。
为解决以上问题,本发明提供一种LED显示屏,包括:基板,封装在基板上的LED像素模块和驱动单元,所述LED像素模块为单个LED芯片。
可选的,所述LED芯片包括:衬底、形成在衬底上的管芯、P电极群和N电极群,所述P电极群分排均匀分布在管芯上,与管芯对应区域接触,N电极群分布在以P电极群的电极为中心的正六边形的顶点上。
可选的,所述管芯包括依次形成于衬底上的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电流扩散层。
可选的,所述P电极群形成在所述电流扩散层上,所述N电极群形成在所述N型半导体层上。
可选的,所述驱动单元为薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于基板和LED像素模块之间。
可选的,所述薄膜晶体管和LED像素模块之间还形成有P电极层、绝缘层和N电极层,所述绝缘层将P电极层和N电极层隔开,所述P电极层上形成有对应P电极群的P焊接点群,所述N电极层上形成有对应N电极群的N焊接点群,P电极群与P焊接点群通过焊球连接,N电极群与N焊接点群通过焊球连接。
本发明还提供了所述的LED显示屏的制造方法,包括:
形成单芯片的像素模块;
提供基板;
在基板上形成驱动单元;以及
对所述像素模块和基板进行封装。
可选的,所述像素模块的封装是运用倒装工艺。
可选的,形成单芯片的像素模块的方法包括:在衬底上依次形成N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电流扩散层;在电流扩散层上形成均匀排布的P电极群,作为像素点;在以P电极群的电极为中心的正六边形的顶点上部分暴露出所述N型半导体层;在N型半导体层上形成N电极群。
可选的,所述驱动单元为薄膜晶体管。
可选的,在形成所述薄膜晶体管后还包括:依次形成有P电极层、绝缘层和N电极层;在对应P电极群的位置暴露出所述P电极层;在所述P电极层上形成对应P电极群的P焊接点群,在所述N电极层上形成对应N电极群的N焊接点群;以及P电极群与P焊接点群通过焊球连接,N电极群与N焊接点群通过焊球连接。
可选的,所述衬底为蓝宝石衬底。
本发明提供一种LED显示屏及其制作方法,所述LED显示屏的像素模块为单个LED芯片,每个像素之间的间隙可以得到有效的控制,从而提高了LED显示屏的清晰度。
附图说明
图1为本发明实施例提供的LED显示屏的LED芯片的电极分布示意图;
图2为本发明实施例的LED显示屏的制造方法的流程图;
图3A~3D和图4A~4F图为本发明实施例的LED显示屏的制造方法的各步骤在沿AA’剖面上的结构示意图。
具体实施方式
在背景技术中已经提及,由于现有LED显示屏的像素模块是由很多个像素单元集成封装而成,像素点之间不可避免的有较大的间隙,对显示屏的像素密度和清晰度造成极大的影响,阻碍LED显示屏向高清显示领域的发展。为此,本发明提供一种LED显示屏及其制作方法,所述LED显示屏的像素模块为单个LED芯片,这样,每个像素之间的间隙可以得到有效的控制,从而提高了LED显示屏的清晰度。
下面将结合附图对本发明进行更详细的描述,其中表示了本发明的优选实施例,应所述理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明,而仍然实现本发明的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本发明的限制。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于映瑞光电科技(上海)有限公司,未经映瑞光电科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310103906.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:硅上的高质量GaN高压HFET
- 下一篇:认证字符串是否被自动机受理的系统