[发明专利]具有热局限间隔物的存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造一存储装置的方法，包含：

形成一电极材料于一侧壁特征的较低部分，该侧壁特征位于一图案化绝缘层的侧面上；

形成一存储材料层于该侧壁特征的较高部分，该存储材料层具有第一侧及与该第一侧相对的第二侧，该存储材料与该电极材料的一上表面接触；

将该存储材料层的该第二侧覆盖一绝缘填充材料，因此定义一存储材料限制层于该图案化绝缘层与该绝缘填充材料之间；

将该存储材料限制层的一上表面裸露出来；以及

形成一电极于该存储材料限制层及该绝缘填充材料之上，且与该存储材料限制层的该上表面接触。

2.根据权利要求1所述的方法，包括通过沉积一绝缘层料层于一接点阵列之上及刻蚀该绝缘层料层以定义包括侧壁特征与其下的该接点阵列对准的一图案而形成该图案化绝缘层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中一图案化绝缘层的该侧壁特征包括一沟道的一侧壁，且该形成一电极材料于一侧壁特征的较低部分的步骤包含：

将该图案化绝缘层中的沟道垫上该电极材料；

非均向性刻蚀该电极材料以保留该电极材料于该侧壁；

使用一绝缘材料填充该沟道中的该侧壁的该电极材料之上；以及

刻蚀该绝缘材料的一较高部分及该侧壁的该电极材料以在该沟道中形成一凹陷而保留该电极材料于该侧壁的该较低部分，且裸露该侧壁的该较高部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该存储材料限制层的厚度小于7.5纳米。

5.根据权利要求3所述的方法，其中于该沟道垫上该电极材料的步骤包含沉积该电极材料于该图案化绝缘层及该沟道之上。

6.根据权利要求3所述的方法，其中刻蚀该电极材料的步骤包含除去该沟道中的一中央部分及该沟道外的该电极材料而保留垫于该沟道的该侧壁之上的该电极材料层。

7.根据权利要求3所述的方法，其中填充该沟道的步骤包含将该填充材料填入该沟道中的该中央部分以形成一第一填充结构，且平坦化该第一填充结构以形成将该电极材料层的一上表面裸露出来的一表面。

8.根据权利要求1所述的方法，其中该存储材料限制层包含一相变化材料。

9.根据权利要求2所述的方法，更包含形成一个与该接点阵列耦接的一存取装置阵列。

10.一种存储装置，包含：

具有上表面的一接点阵列；

一图案化绝缘层于该接点阵列之上，该图案化绝缘层包括侧壁特征与该接点阵列中多个接点的这些上表面对准；

多个底电极，该多个底电极包括各自的侧壁电极层于该侧壁特征的较低部分而与该多个接点各自的该些上表面接触，且具有电极上表面；以及

多个存储元件，该多个存储元件包括一存储材料限制层于该侧壁特征的一较高部分的该图案化绝缘层与一绝缘填充材料之间，该存储元件与该多个底电极的该上表面接触。

11.根据权利要求10所述的存储装置，其中该存储材料限制层的厚度小于7.5纳米。

12.根据权利要求10所述的存储装置，其中该图案化绝缘层包括一沟道，该沟道具有相对于侧壁的第一侧及第二侧，且该侧壁特征包括该沟道的相对侧壁。

13.根据权利要求12所述的存储装置，更包括一存储材料层自该存储元件中在该第一相对侧壁的该存储材料限制层延伸通过该沟道的该宽度的至少一部份。

14.根据权利要求12所述的存储装置，更包括一存储材料层自该存储元件中在该第一相对侧壁的该存储材料限制层延伸通过该沟道的该宽度而至该存储元件中在该第二相对侧壁的该存储材料限制层。

15.根据权利要求10所述的存储装置，其中该存储材料限制层包含一相变化材料。

16.根据权利要求10所述的存储装置，更包含与该接点阵列耦接的一存取装置阵列。