[发明专利]薄膜图形化方法有效
| 申请号： | 201310103325.8 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103151245A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 孙秋娟;王浩敏;左青云;康晓旭;谢红;邓联文;谢晓明;江绵恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 图形 方法 | ||
1.一种薄膜图形化方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
1）提供一非金属衬底，并在该非金属衬底上形成光刻胶；
2）进行光学曝光，将预设图形转移至该光刻胶上；
3）在步骤2）之后获得的结构上沉积金属层；
4）然后去除光刻胶并剥离，获得所需金属图形结构；
5）在上述金属图形结构表面沉积薄膜材料，形成所需薄膜；
6）最后去除剩余金属层得到图形化薄膜。
2.根据权利要求1所述的薄膜图形化方法，其特征在于：所述非金属衬底为任意不被酸溶液液腐蚀的衬底，尤其是指半导体材料。
3.根据权利要求1所述的薄膜图形化方法，其特征在于：所述非金属衬底的厚度为10-20μm。
4.根据权利要求1所述的薄膜图形化方法，其特征在于：所述步骤1）中的光刻胶厚度为1-2μm。
5.根据权利要求1所述的薄膜图形化方法，其特征在于：所述步骤1）还包括在形成光刻胶之前清洗该非金属衬底的步骤。
6.根据权利要求1所述的薄膜图形化方法，其特征在于：所述步骤3）中的金属为高熔点的易于酸溶液腐蚀的金属。
7.根据权利要求6所述的薄膜图形化方法，其特征在于：所述高熔点的易于酸液腐蚀的金属包括Ni、Cu、Ti。
8.根据权利要求1所述的薄膜图形化方法，其特征在于：所述步骤4）中剥离在温度为50-70摄氏度，最好是60°的热丙酮中进行。
9.根据权利要求1所述的薄膜图形化方法，其特征在于：所述步骤5）中的薄膜材料为石墨烯或BN，其厚度为25-35nm。
10.根据权利要求1所述的薄膜图形化方法，其特征在于：所述步骤6）中去除剩余金属层在浓度为23%～36%的酸液中腐蚀形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
