[发明专利]堆叠半导体封装在审
申请号: | 201310102930.3 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN103367178A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 迈克尔·托德·怀恩特;帕特里夏·萨布朗·康德;维卡斯·古普塔;拉吉夫·邓恩;埃默森·马马里拉·埃尼皮恩 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L23/16 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 半导体 封装 | ||
1.一种制造堆叠半导体封装的方法,所述堆叠半导体封装至少具有引线框、安装于所述引线框上方且焊接到所述引线框的第一裸片和安装于所述第一裸片上方且焊接到所述第一裸片的第一夹具,所述方法包括:
以垂直堆叠关系定位所述引线框、第一裸片和第一夹具;以及
以不可相对于所述引线框横向移位的关系用非焊接方式锁定所述第一夹具。
2.根据权利要求1所述的制造堆叠半导体封装的方法,其包括:
将第一焊膏层施加到所述引线框的顶部表面和所述第一裸片的底部表面中的一者;
将所述第一裸片定位在所述引线框上,其中所述第一焊膏层夹于所述引线框的所述顶部表面与所述第一裸片的所述底部表面之间;
将第二焊膏层施加到所述第一裸片的顶部表面和所述第一夹具的底部表面中的一者;以及
将所述第一夹具定位在所述第一裸片上,其中所述第二焊膏层定位于所述第一裸片的所述顶部表面与所述第一夹具的所述底部表面之间,且其中所述第一夹具的支脚部分延伸到所述引线框。
3.根据权利要求2所述的方法,其包括:
将第三焊膏层施加到所述第一夹具的顶部表面和第二裸片的底部表面中的一者;
将所述第二裸片定位在所述第一夹具上,其中所述第三焊膏层定位于所述第一夹具的所述顶部表面与所述第二裸片的底部表面之间;
将第四焊膏层施加到所述第二裸片的顶部表面和第二夹具的底部表面中的一者;
将所述第二夹具定位在所述第二裸片上,其中所述第四焊膏层定位于所述第二裸片的所述顶部表面与所述第二夹具的所述底部表面之间,且其中所述第二夹具的支脚部分延伸到所述引线框;以及
以不可相对于所述引线框横向移位的关系用非焊接方式锁定所述第二夹具。
4.根据权利要求3所述的方法,其包括:
将第五焊膏层施加到所述引线框的顶部表面和第三裸片的底部表面中的一者;以及
将所述第三裸片定位在所述引线框上,其中所述第五焊膏层定位于所述引线框的所述顶部表面与所述第三裸片的所述底部表面之间。
5.根据权利要求4所述的方法,其包括:
将所述第三裸片上的接触焊垫线接合连接到所述引线框;
在回焊炉中加热所述引线框、所述第一、第二和第三裸片及所述第一和第二夹具以及所有所述焊膏层;
将所述第一、第二和第三裸片以及所述第一和第二夹具囊封于囊封化合物中;以及
从引线框薄片和囊封化合物的邻近部分单一化所述引线框和定位于其上方的相关联的囊封化合物。
6.根据权利要求2所述的方法,其包括:
回焊加热所述第一和第二焊膏层以用焊接方式将所述引线框附接到所述第一裸片且将所述第一裸片附接到所述第一夹具。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述以不可相对于所述引线框横向移位的关系用非焊接方式锁定所述第一夹具包括将所述第一夹具的所述支脚部分的表面部分定位成与所述引线框的表面部分成邻接关系。
8.根据权利要求7所述的方法,其中将所述第一夹具的所述支脚部分的表面部分定位成与所述引线框的表面部分成邻接关系包括将所述第一夹具和所述引线框中的一者上的突起放置在所述第一夹具和所述引线框中的另一者上的凹部中。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述以不可相对于所述引线框横向移位的关系用非焊接方式锁定所述第一夹具包括:
将UV可固化环氧树脂施加于所述第一夹具的一部分与所述引线框的一邻近部分之间;以及
将UV光源引导到所述UV可固化环氧树脂上。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述将UV可固化环氧树脂施加于所述第一夹具的一部分与所述引线框的一邻近部分之间包括将UV可固化环氧树脂施加于所述第一夹具的系杆部分与所述引线框的一邻近部分之间。
11.一种用于在生产堆叠半导体封装中使用的中间产品,其包括:
引线框;
第一裸片,其堆叠于所述引线框上,其中第一焊膏层定位于两者之间;
第一夹具,其堆叠于所述第一裸片上,其中第二焊膏层定位于两者之间;并且其中所述第一夹具以非焊接方式被锁定以抵抗相对于所述引线框的横向位移。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造