[发明专利]一种多通道并行近红外光谱成像系统

权利要求书

1.一种多通道并行近红外光谱成像系统，除了控制调节部分和数据处理部分之外，还包括：

多波长发光二极管光源部分，由多组相同单元模块组成，每个单元以一个多波长发光二极管为核心，该二极管内部集成了多种波长的发射模块，因此可通过一个二极管发射多种波长的红外光；发射的近红外光通过光路传至探测头盔；

探测头盔部分；

雪崩光电二极管光电转化部分，由多组相同单元组成，每个单元以一个雪崩光电二极管为核心，将光信号转化为电信号；雪崩光电二极管光电转化部分的输入信号通过光纤从探测头盔引入，输出信号交由多通道解调部分进行通道解调；

多通道解调部分，对每个通道进行信号解调。

2.如权利要求1所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的多波长发光二极管光源部分中一个多波长发光二极管即可完成两种或以上波长的近红外光发射，并且波长和频率灵活可调。

3.如权利要求1所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的探测头盔部分根据大脑结构进行通道排布，通道选择准确方便。

4.如权利要求1所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的光电转化部分采用雪崩光电二极管。

5.如权利要求1所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于可以对多个模块参数进行调节。

6.如权利要求2所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的多波长发光二极管的发光频率稳定且可调。

7.如权利要求2所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的多波长发光二极管在600nm至900nm波长范围之间进行选择和组合。

8.如权利要求4所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的雪崩光电二极管具有温度反馈机制和偏置电压调节机制。

9.如权利要求1所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的探测头盔部分为一种近红外光谱脑功能成像头盔，由九个边长为3.2～3.4cm的正五边形和二十三个边长为3.2～3.4cm的正六边形拼接形成立体形状；每个正五边形覆盖区域内设计了二十个探头位置及近红外光源探头、近红外光接收探头排布方式；每个正六边形覆盖区域内设计了十九个探头位置及近红外光源探头、近红外光接收探头排布方式。

10.如权利要求9所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的探测头盔部分中，所述拼接形成立体形状，为包覆头部的立体形状，是在一个正五边形的底边上顺序连接五个正六边形(C2、C3、C4、C5、C6)，构成一字形中线，于该中线右侧，在正五边形的右上侧边固接一正六边形(R1)，在该正六边形右侧边固接一正五边形；

在正六边形(C2)的右上侧边固接一正六边形；

正六边形(C4)的右下侧边和正六边形(C5)的右上侧边，分别与一正六边形的左上侧边和左下侧边固接，该正六边形的上侧边和一正五边形的底边固接，该正五边形的右下侧边固接一正六边形(R8)；

正六边形(R8)的上侧边、右上侧边和底边分别固接一正六边形，其右下侧边固接一正五边形；

该正五边形的右上侧边固接一正六边形(R6)；

正六边形(C5)的右下侧边固接一正五边形，该正五边形的底边固接一正六边形(R13)；

位于中线左侧的正五边形和正六边形，以中线为准与右侧对称排列。

11.如权利要求10所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的探测头盔部分中，所述正六边形(R1、R6、R13)，以及按中线与它们对称的正六边形，为被切割了一部分的正六边形。

12.如权利要求10所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的探测头盔部分中，所述包覆头部的立体形状，其开口周缘设有粘扣，粘扣宽度≤1.5cm。

13.如权利要求11所述的多通道并行近红外光谱成像系统，其特征在于所述的探测头盔部分中，所述被切割一部分的正六边形，其中，正六边形(R1)以及按中线与它对称的正六边形，被切去一三角形，成为五边形；正六边形(R6、R13)，以及按中线与它们对称的正六边形，被切去一半，成为四边形。