[发明专利]化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310102456.4 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367427A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 镰田阳一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
衬底；
电子渡越层和电子供给层，形成在衬底上面；
栅电极、源电极和漏电极，形成在电子供给层上面；以及
第一铁掺杂层，设置在衬底和电子渡越层之间的在平面图中对应于栅电极的位置的区域，第一铁掺杂层掺杂有铁以降低栅电极下方生成的二维电子气。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中，第一铁掺杂层掺杂有浓度不小于1x1017cm-3的铁。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，
其中，第一铁掺杂层掺杂有浓度不小于2x1017cm-3的铁。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，
其中，第一铁掺杂层是GaN层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物半导体器件，还包括：
第二铁掺杂层，其设置在衬底和电子渡越层之间，相对于第一铁掺杂层位于源电极侧，第二铁掺杂层掺杂有浓度低于第一铁掺杂层的铁浓度的铁。
6.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，
其中，第二铁掺杂层掺杂有浓度小于1x1017cm-3的铁。
7.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，
其中，第二铁掺杂层掺杂有浓度不大于5x1016cm-3的铁。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的化合物半导体器件，还包括：
第三铁掺杂层，其设置在衬底和电子渡越层之间，相对于第一铁掺杂层位于漏电极侧，第三铁掺杂层掺杂有浓度低于第一铁掺杂层的铁浓度的铁。
9.根据权利要求8所述的化合物半导体器件，
其中，第三铁掺杂层掺杂有浓度小于1x1017cm-3的铁。
10.根据权利要求8所述的化合物半导体器件，
其中，第三铁掺杂层掺杂有浓度不大于5x1016cm-3的铁。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的化合物半导体器件，
其中，电子渡越层和电子供给层包括GaN材料。
12.一种供电装备，包括：
根据权利要求1至11中任一项所述的化合物半导体器件。
13.一种高频率放大器，包括：
根据权利要求1至11中任一项所述的化合物半导体器件。
14.一种用于制造化合物半导体器件的方法，包括：
在衬底上面形成电子渡越层以及电子供给层；以及
在电子供给层上面形成形成栅电极、源电极和漏电极，其中，
在形成电子渡越层之前形成第一铁掺杂层，以便盖住衬底的在平面图中对应于栅电极的位置的区域，第一铁掺杂层掺杂有铁以降低栅电极下方生成的二维电子气。
15.根据权利要求14所述的用于制造化合物半导体器件的方法，
其中，第一铁掺杂层掺杂有浓度不小于1x1017cm-3的铁。
16.根据权利要求14或15所述的用于制造化合物半导体器件的方法，
其中，第一铁掺杂层是GaN层。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的用于制造化合物半导体器件的方法，还包括：
在形成电子渡越层之前形成第二铁掺杂层，第二铁掺杂层相对于第一铁掺杂层在衬底上面设置在源电极侧，并且掺杂有浓度低于第一铁掺杂层的铁浓度的铁。
18.根据权利要求17所述的用于制造化合物半导体器件的方法，
其中，第二铁掺杂层掺杂有浓度小于1x1017cm-3的铁。
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