[发明专利]具有基座的化学气相沉积装置和半导体制造装置

权利要求书

1.一种化学气相沉积（CVD）装置，包括：

腔室；

基座，在所述腔室中，所述基座包括：

转子，

旋转轴，耦接到所述转子的下部，

驱动器件，耦接到所述旋转轴，所述驱动器件配置为可旋转地驱动所述旋转轴，以及

至少一个凹坑，限定在所述转子的上表面处，所述至少一个凹坑包括：

安装部分，配置为在其上接收衬底，和

突出部分，从所述至少一个凹坑的底表面突出，使得所述突出部分位于对应于所述旋转轴的区域处，

加热单元，在所述基座下面，所述加热单元围绕所述旋转轴并配置为加热所述衬底。

2.如权利要求1所述的CVD装置，其中所述凹坑的底表面与所接收的衬底之间的间隔在对应于所述旋转轴的区域处小于不对应于所述旋转轴且在所述安装部分的内侧的区域。

3.如权利要求1所述的CVD装置，其中所述突出部分的上表面是平坦的。

4.如权利要求3所述的CVD装置，其中所述突出部分的侧壁是倾斜的使得所述衬底与所述凹坑的底表面之间的间隔随着远离对应于所述旋转轴的区域而增大。

5.如权利要求1所述的CVD装置，其中所述凹坑包括环形凹槽部分，所述环形凹槽部分形成为沿所述安装部分的外边缘具有一深度。

6.如权利要求1所述的CVD装置，其中所述转子是由用碳或硅碳化物（SiC）涂覆的石墨制成的旋转结构。

7.如权利要求1所述的CVD装置，其中所述安装部分是从所述凹坑的底表面突出的部分。

8.如权利要求1所述的CVD装置，其中所述安装部分具有环形形状，所述安装部分的中心与所述凹坑的中心相同。

9.如权利要求1所述的CVD装置，其中所述加热单元是从由电加热器、高频感应加热单元、红外辐射加热单元和激光器构成的组中选择的任意一种。

10.如权利要求1所述的CVD装置，其中在所述至少一个凹坑当中的下面没有设置所述旋转轴的凹坑形成为使得所述凹坑的底表面与所接收的衬底之间的间隔在所述安装部分的内侧在整个凹坑上是均匀的。

11.一种半导体制造装置，包括：

转子，包括在第一表面处的多个凹坑，所述多个凹坑的每个具有配置为在其上接收衬底的安装部分；

旋转轴，在所述转子的第二表面的中央部分处耦接到所述转子，所述第二表面与所述第一表面相反，所述旋转轴配置为使所述转子旋转，所述多个凹坑中的至少一个具有从所述凹坑的底表面的突出部分使得所述突出部分在垂直方向上至少部分地交叠所述旋转轴；以及

加热单元，配置为加热所述衬底。

12.如权利要求11所述的半导体制造装置，其中所述多个凹坑中的一些围绕旋转轴并在垂直方向上与所述旋转轴交叠。

13.如权利要求11所述的半导体制造装置，其中所述突出部分的上表面是平坦的。

14.如权利要求13所述的半导体制造装置，其中所述突出部分的侧壁是倾斜的，使得所述衬底与相应凹坑的底表面之间的间隔随着所述侧壁越靠近相应凹坑的中心而增大。

15.如权利要求11所述的半导体制造装置，其中所述多个凹坑的每个具有在其边缘处的安装部分，该安装部分从所述凹坑的底表面突出。

16.如权利要求15所述的半导体制造装置，其中所述多个凹坑的每个具有在其外边缘处的凹槽部分，所述凹槽部分在所述安装部分与所述凹坑的边缘之间。