[发明专利]半导体装置、MEMS结构和制作MEMS装置的电极的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

可动电极，所述可动电极包括波纹线，所述波纹线被配置为使所述可动电极的内区刚性；以及

第一反电极，其中，所述可动电极和所述第一反电极机械连接至所述衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述波纹线包括多条径向波纹线。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述可动电极进一步包括至少一条周向波纹线。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述径向波纹线位于所述可动电极的内区中，并且其中，所述周向波纹线位于所述可动电极的外区中。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述可动电极和所述第一反电极中的至少一个包括多个电极。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括第二反电极，所述第二反电极布置为使得所述可动电极位于所述第一反电极和所述第二反电极之间。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一反电极包括第一波纹线，并且其中，所述第二反电极包括第二波纹线。

8.一种MEMS结构，包括：

衬底；

可动电极，所述可动电极包括位于内区中的径向波纹线和位于外区中的圆形波纹线；以及

第一穿孔反电极，所述第一穿孔反电极包括第一背脊，其中，所述可动电极和所述第一穿孔反电极机械连接至所述衬底。

9.根据权利要求8所述的MEMS结构，其中，所述可动电极布置在所述第一穿孔反电极下面且更靠近所述衬底。

10.根据权利要求8所述的MEMS结构，其中，所述第一穿孔反电极布置在所述可动电极下面且更靠近所述衬底。

11.根据权利要求8所述的MEMS结构，进一步包括第二穿孔反电极，所述第二穿孔反电极包括第二背脊，其中，所述可动电极布置在所述第一穿孔反电极和所述第二穿孔反电极之间。

12.根据权利要求8所述的MEMS结构，其中，所述第一穿孔反电极包括第一反电极和第二反电极，其中，所述第一反电极与所述可动电极的内区互相对准，并且其中，所述第二反电极与所述可动电极的外区互相对准。

13.根据权利要求12所述的MEMS结构，其中，所述可动电极包括第一可动电极和第二可动电极，其中，所述内区包括所述第一电极，并且其中，所述外区包括所述第二电极。

14.根据权利要求8所述的MEMS结构，其中，所述可动电极具有一半径，其中，所述内区的内部面积由所述半径的约80%限定，并且其中，所述外区的外部面积由所述半径的约20%限定。

15.一种制作MEMS装置的电极的方法，所述方法包括：

在掩模层中形成径向开口，所述掩模层布置在第一牺牲层上方，所述径向开口暴露所述第一牺牲层的表面部分，所述径向开口远离所述第一牺牲层的中心点；

在暴露的表面部分处形成绝缘区；

在所述第一牺牲层上方形成第二牺牲层；

在所述第二牺牲层上方形成导电层；

移除所述第一牺牲层的第一部分而形成第一间隔件；以及

移除所述第二牺牲层的第二部分而形成第二间隔件。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成绝缘区包括将暴露的表面部分氧化或氮化。

17.根据权利要求15所述的方法，进一步包括在形成所述第二牺牲层之前移除所述掩模层和所述绝缘区。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述开口位于所述第一牺牲层的内区中。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述开口位于所述第一牺牲层的外区中和所述第一牺牲层的内区中，并且其中，所述开口都具有基本相同的宽度。