[发明专利]应用于高精度逐次逼近模数转换器的三段式电容阵列结构

权利要求书

1.一种应用于高精度逐次逼近模数转换器的三段式电容阵列结构，包括多个电容，其特征在于，

还包括第一耦合电容和第二耦合电容；

第一耦合电容和第二耦合电容与多个电容的一端连接，第一耦合电容和第二耦合电容将多个电容划分为相连的低段部、中段部和高段部，其中，所述低段部和中段部均分别包括4个电容，4个电容的大小依次为2^（0～3）C，所述高段部包括5～9个电容，该5～9个电容的大小依次为2⁰C、2^（0～7）C，从而构成一12～16位的模数转换器ADC；位于低段部和中段部之间的第一耦合电容的大小为1C，位于中段部和高段部之间的第二耦合电容的大小为17/16C；

低段部和中段部中每个电容的另一端均分别设有用于控制接入参考电压Vref和接地GND的第一开关；

高段部中每个电容的另一端均分别设有用于控制接入参考电压Vref、接地GND和输入电压Vin的第二开关；

高段部的电容中，位于与中段部相邻一端的第二开关上的大小为2⁰C的电容为补偿电容，第二耦合电容与高段部相连的连线为输出端，所述输出端设有一控制接入共模电平Vcm的第三开关T1。

2.根据权利要求1所述应用于高精度逐次逼近模数转换器的三段式电容阵列结构，其特征在于，所述高段部包括5个电容，该5个电容的单位依次为2⁰C、2⁰C、2¹C、2²C、2³C，从而构成一12位的模数转换器ADC。

3.根据权利要求1所述应用于高精度逐次逼近模数转换器的三段式电容阵列结构，其特征在于，所述高段部包括7个电容，该7个电容的单位依次为2⁰C、2⁰C、2¹C、2²C、2³C、2⁴C、2⁵C，从而构成一14位的模数转换器ADC。

4.根据权利要求1所述应用于高精度逐次逼近模数转换器的三段式电容阵列结构，其特征在于，所述高段部包括8个电容，该8个电容的单位依次为2⁰C、2⁰C、2¹C、2²C、2³C、2⁴C、2⁵C、2⁶C，从而构成一15位的模数转换器ADC。