[发明专利]具有超级结晶体管和另外的器件的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体主体；

功率晶体管，其设置在半导体主体的第一器件区中并且包括至少一个源极区、漏极区和至少一个主体区、至少一个第一掺杂类型的漂移区和至少一个与第一掺杂类型互补的第二掺杂的补偿区以及被设置成邻近所述至少一个主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极；以及

另外的半导体器件，其设置在半导体主体的第二器件区中，该第二器件区包括包围第一掺杂类型的第一半导体区的第二掺杂类型的阱状结构，所述另外的半导体器件包括设置在第一半导体区中的器件区。

2.权利要求1的半导体装置，进一步包括第一掺杂类型的第二半导体区，该第二半导体区具有比第一半导体区更高的掺杂浓度并且设置在阱状结构与第一半导体区之间。

3.权利要求2的半导体装置，其中阱状结构包括底部部分和侧壁部分，并且其中第二半导体区仅仅设置在阱状结构的底部部分与第一半导体区之间。

4.权利要求1的半导体装置，其中第二器件区被设置成在半导体主体的横向方向上远离第一器件区。

5.权利要求4的半导体装置，其中边缘区设置在第一器件区与第二器件区之间，该边缘区包括多个在半导体主体的垂直方向上延伸的第一掺杂类型的第一边缘区以及多个在半导体主体的垂直方向上延伸的第二掺杂类型的第二边缘区，每个第一边缘区邻接至少一个第二边缘区。

6.权利要求1的半导体装置，其中半导体主体包括第一表面，并且其中阱状结构延伸到第一表面并且在第一表面的区域中包括比阱状结构的剩余部分更高地掺杂的部分。

7.权利要求1的半导体装置，其中功率晶体管包括多个晶体管单元，每个晶体管单元包括源极区、主体区、漂移区和补偿区并且具有公共漏极区。

8.权利要求1的半导体装置，其中半导体主体进一步包括：

形成漏极区的第一半导体层；以及

第二半导体层，其设置在第一半导体层之上，该第二半导体层包括第二器件区以及功率晶体管的所述至少一个漂移区、所述至少一个补偿区、所述至少一个源极区和所述至少一个主体区。

9.权利要求1的半导体装置，其中所述另外的半导体器件实现为横向功率晶体管。

10.权利要求9的半导体装置，其中横向功率晶体管包括：

另外的源极区和另外的漏极区，其设置在第一半导体区中并且在半导体主体的横向方向上远离；

至少一个另外的漂移区和另外的主体区，其中所述另外的主体区设置在所述另外的源极区和所述至少一个另外的漂移区之间，并且所述至少一个另外的漂移区设置在所述另外的主体区与所述另外的漏极区之间；以及

另外的栅极电极，其被设置成邻近所述另外的主体区并且通过另外的栅极电介质与所述另外的主体区电介质绝缘。

11.权利要求10的半导体装置，其中第一半导体区的部分形成所述至少一个另外的漂移区。

12.权利要求10的半导体装置，其中横向功率晶体管进一步包括至少一个掺杂类型与所述至少一个漂移区的掺杂类型互补并且邻接所述至少一个漂移区的补偿区。

13.权利要求12的半导体装置，其中横向功率晶体管的所述至少一个补偿区连接到所述另外的主体区或者所述另外的源极区。

14.权利要求12的半导体装置，其中所述至少一个另外的漂移区具有与第一半导体区相同的掺杂类型并且具有更高的掺杂浓度。

15.权利要求10的半导体装置，其中所述另外的器件区设置在第一器件区与半导体主体的边缘之间，其中所述另外的漏极区被设置成比所述另外的源极区更靠近该半导体主体的边缘。

16.一种半桥电路，包括：

低侧晶体管和高侧晶体管，每一个晶体管包括负载路径和控制终端；

高侧驱动电路，其包括具有电平移位器晶体管的电平移位器；并且

其中低侧晶体管和电平移位器晶体管集成到公共半导体主体中。