[发明专利]使用高压设备的低压ESD箝位

权利要求书

1. 一种静电放电（ESD）保护设备，包括：

第一电路径，在第一电路节点和第二电路节点之间延伸且包括触发元件；

第二电路径，在第一电路节点和第二电路节点之间延伸，该第二电路径包括分路元件；和

开关元件，被配置为基于触发元件的状态和开关元件的状态二者来触发经过分路元件的电流。

2. 权利要求1的ESD保护设备，其中开关元件包括：

漏极扩展的MOS晶体管，具有耦合到触发元件的输出的栅极、耦合到第一电路节点的漏极区、和耦合到分路元件的第一阱的源极区。

3. 权利要求2的ESD保护设备，其中第一阱是p阱。

4. 权利要求2的ESD保护设备，其中分路元件包括可控硅整流器（SCR）。

5. 权利要求4的ESD保护设备，其中SCR包括：

阳极，耦合到第一电路节点；

阴极，耦合到第二电路节点；和

触发抽头，对应于分路元件的第一阱。

6. 权利要求2的ESD保护设备，其中分路元件包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

7. 权利要求6的ESD保护设备，其中IGBT包括：

栅极，耦合到触发元件的输出；

阳极，耦合到第一电路节点；和

阴极，耦合到第二电路节点。

8. 权利要求7的ESD保护设备，其中IGBT包括具有阱触点的第一阱。

9. 权利要求8的ESD保护设备，其中第一阱是p阱。

10. 权利要求2的ESD保护设备，其中分路元件包括：

第一浅植入区，置于包括n阱的第二阱中，其中第一浅植入区具有p型传导性且构成分路元件的第一分路端子；和

第二浅植入区，置于第一阱区中且与第一浅植入区隔开，其中第二浅植入区具有n型传导性并且其中第二浅植入区构成分路元件的第二分路端子。

11. 权利要求10的ESD保护设备，还包括：

第一STI区，与第一浅植入区邻近；和

第三浅植入区，与第一STI区邻近，其中第一STI区在第一和第三浅植入区之间。

12. 权利要求10的ESD保护设备，其中分路元件还包括：

栅极电极，置于第一阱和第二阱之上；和

栅极绝缘层，置于栅极电极和第一阱之间。

13. 权利要求12的ESD保护设备，还包括：

第一STI区，与第一浅植入区邻近；

第三浅植入区，与第一STI区邻近，其中第一STI区在第一和第三浅植入区之间；和

第二STI区，与第三浅植入区邻近且布置在栅极电极之下。

14. 权利要求1的ESD保护设备，还包括：闩锁保护电路，该闩锁保护电路包括：

次开关元件，被配置为选择性地将分路元件的第二阱区耦合到第一电路节点。

15. 权利要求14的ESD保护设备，其中第二阱区是n阱。

16. 权利要求14的ESD保护设备，还包括：

电平移动器电路，具有耦合到触发元件的输入和耦合到次开关元件的输入的输出。

17. 权利要求14的ESD保护设备，其中分路元件的p阱耦合到第二电路节点。

18. 权利要求2的ESD保护设备，其中分路元件具有耦合到第一电路节点的第一分路端子和耦合到第二电路节点的第二分路端子。

19. 权利要求2的ESD保护设备，其中开关元件包括耦合到触发元件的输出的控制端子、耦合到第一电路节点的第一开关端子、和耦合到分路元件的第一阱的第二开关端子。

20. 一种ESD保护设备，包括：

触发元件，用于检测ESD脉冲；

开关元件，耦合到触发元件；

IGBT，耦合到触发元件且具有耦合到开关元件的衬底区，其中IGBT被配置为基于触发元件的状态和开关元件的状态来选择性地使能或禁止经过IGBT的电流。