[发明专利]NMOS和PMOS器件结构及设计方法无效
| 申请号： | 201310098874.0 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103151385A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nmos pmos 器件 结构 设计 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种NMOS器件结构，其中：
垂直沟道方向的STI宽度具有最小设计规则尺寸；延沟道方向的STI宽度也具有最小设计规则尺寸。
2.根据权利要求1所述的NMOS器件结构，其中NMOS器件为H型栅NMOS器件。
3.一种PMOS器件结构，其中
垂直沟道方向的STI宽度具有最小设计规则尺寸；延沟道方向的STI宽度在最小设计规则尺寸的4到7倍之间。
4.根据权利要求3所述的PMOS器件结构，其中延沟道方向的STI结构的宽度是最小设计规则尺寸的5倍。
5.根据权利要求3所述的PMOS器件结构，其中PMOS器件为H型栅PMOS器件。
6.一种NMOS器件的设计方法，其中，
减小NMOS器件垂直沟道方向以及沿沟道方向的的STI宽度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中将NMOS器件设计为垂直沟道方向的STI宽度具有最小设计规则尺寸；延沟道方向的STI宽度也具有最小设计规则尺寸。
8.一种PMOS器件的设计方法，其中，
减小PMOS器件垂直沟道方向的STI宽度并增加PMOS器件沿沟道方向的STI宽度。
9.根据权利要求8所述的方法，其中将PMOS器件设计为垂直沟道方向的STI宽度具有最小设计规则尺寸；延沟道方向的STI宽度在最小设计规则尺寸的4到7倍之间。
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