[发明专利]一种氧化硅包膜LED荧光粉及其制备工艺

权利要求书

1.一种氧化硅包膜LED荧光粉，其特征在于：是在LED荧光粉外包覆一层透明氧化硅膜。

2.如权利要求1所述的一种氧化硅包膜LED荧光粉，其特征在于：其中氧化硅膜的厚度为0.1-1um。

3.如权利要求1所述的一种氧化硅包膜LED荧光粉，其特征在于：其中LED荧光粉为硅酸盐体系、YAG体系、氮氧化物体系、氮化物体系或钼酸盐体系荧光粉。

4.一种氧化硅包膜LED荧光粉的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：首先将LED荧光粉材料置于表面改性处理溶液中，LED荧光粉与表面改性处理溶液的体积比为1:2-5，直至LED荧光粉在改性溶液中浸泡至少1小时以后改性完成再取出进行干燥后，移入浓度为0.01M-5M的正硅酸乙酯溶液中并且使正硅酸乙酯溶液的用量至少浸没过LED荧光粉，充分搅拌0.5-2h，再超声分散后过滤、干燥，得到包膜LED荧光粉中间体，然后将该中间体在保护气氛中300-600℃烧结0.5-3h，冷却后即得到氧化硅包膜LED荧光粉。

5.如权利要求4所述的一种氧化硅包膜LED荧光粉的制备工艺，其特征在于：其中LED荧光粉为硅酸盐体系、YAG体系、氮氧化物体系、氮化物体系或钼酸盐体系荧光粉。

6.如权利要求4所述的一种氧化硅包膜LED荧光粉的制备工艺，其特征在于：其中表面改性处理溶液采用氨水溶液，浓度控制在0.01M-1M。

7.如权利要求4所述的一种氧化硅包膜LED荧光粉的制备工艺，其特征在于：其中正硅酸乙酯溶液为水-乙醇共溶体系溶液。

8.如权利要求4所述的一种氧化硅包膜LED荧光粉的制备工艺，其特征在于：其中烧结前要对烧结炉反应空间进行真空处理。

9.如权利要求4所述的一种氧化硅包膜LED荧光粉的制备工艺，其特征在于：其中保护气氛采用N₂或Ar气体。