[发明专利]一种用于设计分析目的的晶圆测试方法无效
| 申请号: | 201310097505.X | 申请日: | 2013-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN103197227A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
| 发明(设计)人: | 张涛;郝福亨 | 申请(专利权)人: | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
| 代理公司: | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人: | 田洲 |
| 地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 设计 分析 目的 测试 方法 | ||
1.一种用于设计分析目的的晶圆测试方法,其特征在于:在制作完成的晶圆表面制作再分布层,通过再分布层连接线将晶圆中芯片的若干第一焊盘与再分布层上与第一焊盘对应的若干第二焊盘连接,再分布层的第二焊盘位于微探针探测的区域以外;在再分布层的第二焊盘位置用探针卡的针对晶圆加测试激励,在芯片上用微探针对芯片进行信号测试。
2.根据权利要求1所述的用于设计分析目的的晶圆测试方法,其特征在于:通过再分布层连接线将晶圆中的芯片与位于芯片之外的测试电路连接。
3.根据权利要求1所述的用于设计分析目的的晶圆测试方法,其特征在于:通过再分布层连接线将晶圆中的多个芯片连接。
4.根据权利要求1所述的用于设计分析目的的晶圆测试方法,其特征在于:所述再分布层的第二焊盘位于芯片内部不需要进行微探针探测的区域。
5.根据权利要求1所述的用于设计分析目的的晶圆测试方法,其特征在于:通过再分布层连接线将芯片的第一焊盘与位于两个芯片之间区域或者临近芯片上的再分布层第二焊盘连接。
6.根据权利要求1所述的用于设计分析目的的晶圆测试方法,其特征在于:所述探针卡上的针与探针卡垂直设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安华芯半导体有限公司,未经西安华芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310097505.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有额外锂的锂离子电池
- 下一篇:一种远方备用电源自投方法





