[发明专利]一种配置低压差线性稳压器输出电流的系统及芯片有效
| 申请号: | 201310096559.4 | 申请日: | 2013-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN104063000A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
| 发明(设计)人: | 张存才;赵辉 | 申请(专利权)人: | 国民技术股份有限公司 |
| 主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
| 地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 配置 低压 线性 稳压器 输出 电流 系统 芯片 | ||
1.一种配置低压差线性稳压器输出电流的系统,其特征在于,所述系统包括:
检测单元,用于实时检测低压差线性稳压器的输出电压或核心电路的旁路电流;
数据处理单元,用于向所述核心电路输出第一配置码以及输出所述低压差线性稳压器输出电流的初始第二配置码,并当所述检测单元检测到所述低压差线性稳压器的输出电压低于第一预设值、或所述核心电路的旁路电流低于第二预设值时,将所述核心电路的当前第一配置码与所述低压差线性稳压器输出电流的当前第二配置码进行关联存储;
调节单元,用于接收所述数据处理单元输出的所述初始第二配置码并根据所述初始第二配置码调节所述低压差线性稳压器的输出电流,并当所述检测单元检测到所述低压差线性稳压器的输出电压大于或等于所述第一预设值、或所述核心电路的旁路电流大于或等于所述第二预设值时,减小所述第二配置码,并根据减小后的所述第二配置码调节所述低压差线性稳压器的输出电流。
2.如权利要求1所述的配置低压差线性稳压器输出电流的系统,其特征在于,所述调节单元包括一数字逻辑电路,所述数字逻辑电路的第一输入端连接所述检测单元,所述数字逻辑电路的第二输入端连接所述数据处理单元,所述数字逻辑电路的输出端连接低压差线性稳压器。
3.如权利要求1所述的配置低压差线性稳压器输出电流的系统,其特征在于,所述检测单元包括电压检测器,所述电压检测器的输入端连接低压差线性稳压器,所述电压检测器的输出端连接所述调节单元。
4.如权利要求1所述的配置低压差线性稳压器输出电流的系统,其特征在于,所述检测单元包括电流检测器,所述电流检测器的输入端连接低压差线性稳压器,所述电流检测器的输出端连接所述调节单元。
5.一种芯片,其特征在于,所述芯片包括核心电路、向所述核心电路供电的低压差线性稳压器、以及如权利要求1至4任一项所述的配置低压差线性稳压器输出电流的系统。
6.如权利要求5所述的芯片,其特征在于,所述低压差线性稳压器包括P沟道的结型场效应晶体管P0、P沟道的结型场效应晶体管P1、P沟道的第一结型场效应晶体管组、第一开关组、第一误差放大器、N沟道的结型场效应晶体管N0,所述第一结型场效应晶体管组包括至少一个P沟道的结型场效应晶体管,所述第一开关组包括至少一个开关,且所述第一开关组中开关的数量等于所述第一结型场效应晶体管组中结型场效应晶体管的数量;
所述结型场效应晶体管P0的源极、所述结型场效应晶体管P1的源极以及所述第一结型场效应晶体管组中每一结型场效应晶体管的源极共同连接到供电电源;所述结型场效应晶体管P0的漏极连接基准电流,所述结型场效应晶体管P1的漏极以及所述第一结型场效应晶体管组中每一结型场效应晶体管的漏极共同连接到所述核心电路的电源输入端;所述结型场效应晶体管P1的栅极连接所述结型场效应晶体管P0的栅极和所述结型场效应晶体管P0的漏极;所述第一结型场效应晶体管组中每一结型场效应晶体管的栅极分别通过所述第一开关组中一对应开关连接到所述结型场效应晶体管P1的栅极;所述结型场效应晶体管N0的源极接地,所述结型场效应晶体管N0的漏极连接所述核心电路的电源输入端,所述结型场效应晶体管N0的栅极连接所述第一误差放大器的输出端;所述第一误差放大器的输入端连接所述核心电路的电源输入端。
7.如权利要求6所述的芯片,其特征在于,所述第一开关组中每一开关的动触头连接所述调节单元;
若所述检测单元包括电压检测器,则所述结型场效应晶体管N0的漏极连接所述电压检测器的输入端;若所述检测单元包括电流检测器,则所述结型场效应晶体管N0的栅极连接所述电流检测器的输入端。
8.如权利要求6所述的芯片,其特征在于,所述第一结型场效应晶体管组中导通的结型场效应晶体管的个数作为所述第二配置码。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国民技术股份有限公司,未经国民技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310096559.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





