[发明专利]激光加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对半导体晶片等薄板状的被加工物照射具有透过性的波长的激光光束来在被加工物的内部形成改性层的激光加工方法。

背景技术

例如，半导体器件是通过下述工艺制造的：在由硅或砷化镓等半导体构成的晶片的表面形成由IC（Integrated Circuit：集成电路）、LSI（Large Scale Integration：大规模集成电路）等构成的大量的电子电路，接着在磨削晶片的背面使其薄化至预定厚度后，将晶片分割成形成有电子电路的各器件区域。在分割这种晶片等薄板状的被加工物时，一般采用以切削刀具将晶片切断的方法，不过，近些年，也采用下述方法：在对被加工物照射具有透过性的波长的激光光束而在被加工物的内部形成改性层后，对晶片施加外力，以改性层为起点使晶片断开来进行分割（专利文献1等）。

专利文献1：日本专利第3408805号公报

另外，在上述半导体晶片等中，存在着在进行背面磨削前的状态的背面残留有氧化膜或氮化膜的情况。而且，各种晶片包括在表面形成有由聚酰亚胺或聚对二甲苯类聚合物等有机物类膜构成的低介电常数绝缘体覆膜（Low-k膜）的晶片、在背面形成有金属膜的晶片等。

当将这些带膜的晶片作为被加工物并从膜侧照射激光来实施激光加工时，存在着照射的激光光束的一部分被膜反射的情况。反射率随膜的种类和厚度等不同而不同，而且，存在着各个被加工物的表面的反射率不同的情况、以及一个被加工物内的反射率不均匀的情况。在各个被加工物的反射率不同的情况下，以单一的加工条件对多个被加工物实施激光加工的话，由激光光束的照射而形成的改性层会产生不均。而且，在一个被加工物内反射率不均匀的情况下以单一的加工条件实施激光加工的话，改性层与反射率不同的区域对应地产生不均。另外，此处所谓的改性层的不均指的是从激光光束照射的被照射面到形成改性层的深度或改性层的厚度等不同的情况。

发明内容

本发明正是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种激光加工方法，能够与被加工物的被激光光束照射的被照射面的状态无关地在被加工物内形成均匀的改性层。

本发明的激光加工方法为对被加工物照射具有透过性的波长的激光光束以在被加工物形成改性层的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工方法包括下述步骤：反射率检测步骤，在该反射率检测步骤中，检测被加工物的被激光光束照射的被照射面对所照射的激光光束的反射率；防反射膜形成步骤，在该防反射膜形成步骤中，在所述反射率检测步骤实施后，基于检测出的反射率在被加工物的所述被照射面形成防反射膜以使所述被照射面的反射率达到预定的反射率以下；以及激光加工步骤，在该激光加工步骤中，在所述防反射膜形成步骤实施后，对被加工物的所述被照射面照射具有透过性的波长的激光光束以在被加工物的内部形成改性层。

在本发明中，在实施激光加工之前检测被加工物的被照射面的反射率，基于检测出的反射率在被加工物的被照射面形成防反射膜以使所述被照射面的反射率达到预定的反射率以下，然后，从防反射膜侧对被加工物的内部照射激光光束。因此，能够使激光光束有效地达到被加工物的内部，其结果是，能够与被照射面的状态无关地在被加工物内形成均匀的改性层。

根据本发明，起到了下述效果：提供一种激光加工方法，能够与被加工物的被激光光束照射的被照射面的状态无关地在被加工物内形成均匀的改性层。

附图说明

图1的（a）和（b）示出了在本发明的一实施方式涉及的激光加工方法中将被激光加工的被加工物隔着粘贴带支承于框架的状态，（a）为立体图，（b）为剖视图。

图2是适合实施一实施方式的激光加工方法的激光加工装置的整体立体图。

图3是示出该激光加工装置具备的激光照射构件的光学系统的图。

图4是示出在一实施方式涉及的激光加工方法的防反射膜形成步骤中使用的膜形成装置的剖视图。

图5是示出进行一实施方式涉及的激光加工方法的激光加工步骤的状态的侧视图。

图6是示出激光加工步骤的细节的剖视图。

图7是示出在激光加工步骤后在通过磨削构件磨削被加工物的背面侧的同时施加外力以将被加工物分割为器件的状态的立体图。

标号说明

1：被加工物；

1c：改性层；

5：防反射膜；

L：激光光束。

具体实施方式

以下，参考附图说明本发明的一个实施方式。