[发明专利]一种准单晶硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种准单晶硅太阳能电池的制备方法，其中，

a）对准单晶硅片进行分类；

b）根据不同的分类选择制绒方法，对所述准单晶硅片的正面进行制绒；

c）在所述硅片正面形成P扩散层，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；

d）在所述硅片正面形成减反膜；

e）在所述硅片背面形成背电极和铝背场；

f）在所述硅片正面形成正电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述步骤a）包括：

a1）根据单晶含量将准单晶硅片分为A类和B类；

a2）采用在线少子寿命检测方法，获取所述准单晶硅片的少子寿命，根据所述准单晶硅片的少子寿命进一步将所述A类准单晶硅片分为Ⅰ类和Ⅱ类，将所述B类准单晶硅片分为Ⅲ类和Ⅳ类。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述A类准单晶硅片中的单晶含量为80%～100%。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述B类准单晶硅片中的单晶含量为30%～80%。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述A类准单晶硅片的少子寿命为20微秒～100微秒。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述B类准单晶硅片的少子寿命为0.1微秒～20微秒。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述步骤a2）中，

在所述A类准单晶硅片中，当少子寿命大于60微秒且小于100微秒时，所述A类准单晶硅片定义为Ⅰ类，当少子寿命小于60微秒且大于20微秒时，所述A类准单晶硅片定义为Ⅱ类；

在所述B类准单晶硅片中，当少子寿命大于10微秒且小于20微秒时，所述B类准单晶硅片定义为Ⅲ类，当少子寿命小于10微秒且大于0.1微秒时，所述B类准单晶硅定义为Ⅳ类。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述Ⅰ类准单晶硅片的平均少子寿命是Ⅱ类准单晶硅片的平均少子寿命的1.2～10倍。

9.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述Ⅲ类准单晶硅片的平均少子寿命是Ⅳ类准单晶硅片的平均少子寿命的1.2～10倍。

10.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述步骤b）具体包括以下步骤中的至少一个步骤：

b1）对Ⅰ类准单晶硅片进行碱制绒；

b2）对Ⅱ类准单晶硅片和/或Ⅳ类准单晶硅片进行干法制绒；

b3）对Ⅲ类准单晶硅片进行酸制绒。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其中，碱制绒时的碱性化学品浓度为1%～10%，反应温度为60℃～100℃。