[发明专利]一种采用噪声抵消技术的宽带低噪声放大器

说明书

技术领域

本发明涉及一种采用噪声抵消技术的宽带低噪声放大器，具有低噪声系数低功耗的特点，属于射频集成电路技术领域。

背景技术

低噪声放大器是无线传输系统中接收机的关键模块，它一般与天线相连，放大接收到的微弱信号，并尽量减少对信号的恶化。端口匹配，增益，噪声系数，功耗和线性度是低噪声放大器的主要技术参数。

传统的低噪声放大器采用源级电感反馈技术，可以提供窄带输入匹配和较低的噪声系数，但是这种结构需要片上电感，而且不适合用于宽带系统。采用噪声抵消技术的低噪声放大器能够在宽带实现较低的噪声系数，但是功耗较大。采用共栅结构的低噪声放大器具有宽带输入匹配的特性和较低的功耗，但是噪声系数较大。

图1为改进后的共栅结构低噪声放大器，采用了差分电容交叉耦合技术。改进的共栅结构低噪声放大器由平衡非平衡变压器1、电容交叉耦合的共栅放大级2和负载级4组成。平衡非平衡变压器1将单端信号转化为差分信号并为NM1和NM2提供源级直流偏置。电容交叉耦合的共栅放大级2由共栅放大管NM1和NM2组成，交叉耦合的电容C1和C2将差分输入信号耦合到相对的晶体管的栅极，使得共栅放大管NM1和NM2的栅源间信号电压增加一倍，从而增加共栅放大管的等效跨导，降低了噪声系数和功耗。负载级4由电容，电阻，电感等无源器件中的一种或多种组成。只考虑共栅放大管的噪声贡献，在输入阻抗和源阻抗完全匹配的假设下，该电路的噪声系数为：

F=1+γ/2    (1)

对于长沟道晶体管，沟道热噪声系数γ约等于2/3，噪声系数较低；而对于短沟道晶体管，γ会大很多，会使得共栅放大器的噪声系数大大增加。为了进一步降低共栅放大器的噪声系数，可以采用噪声抵消技术，但是引入的噪声抵消电路会额外消耗电流，导致整体电路的功耗增加。

发明内容

本发明技术解决问题：克服现有技术的不足，提供一种采用噪声抵消技术的宽带低噪声放大器，在电容交叉耦合共栅低噪声放大器的基础上，引入额外的前馈噪声抵消路径，在差分输出端进一步抵消共栅放大管引起的噪声。

本发明提供了如下的技术方案：一种采用噪声抵消技术的宽带低噪声放大器，包括平衡非平衡变压器(1)、电容交叉耦合的共栅放大级(2)和前馈噪声抵消级(3)。

平衡非平衡变压器(1)的两个平衡输出端与电容交叉耦合的共栅放大级(2)的输入端直接耦合，可以为NM1和NM2提供源级偏置，无需源级电阻，电感或是晶体管作源级偏置，避免了这些偏置器件的噪声贡献。

电容交叉耦合的共栅放大级(2)用两个相同的N型晶体管NM1和NM2作为输入放大管，电容C1的两端分别接NM1的源级和NM2的栅极，电容C2的两端分别接NM2的源级和NM1的栅极；

前馈噪声抵消级(3)由两个相同的P型晶体管PM1和PM2组成，PM1和PM2的源级接到电源，PM1的漏极与NM1的漏极相连，PM2的漏极与NM2的漏极相连。前馈噪声抵消级(3)叠在电容交叉耦合的共栅放大级(2)之上，并不额外消耗电流。

平衡非平衡变压器(1)的两个平衡输出端同时与前馈噪声抵消级(3)的栅端通过电容耦合方式连接，C4的两端分别接到NM1的源级和PM2的栅极，C3的两端分别接到NM2的源级和PM1的栅极。

本发明与现有技术相比的优点在于：

（1）本发明的前馈噪声抵消级为电容交叉耦合的共栅放大级提供了额外的噪声抵消路径，可以降低共栅放大管NM1和NM2在差分输出端Vo的噪声贡献；

（2）本发明的前馈噪声抵消级叠在电容交叉耦合的共栅放大级之上，PM1和PM2同时作为负载晶体管，前馈噪声抵消级和交叉耦合的共栅放大级共用直流电流，降低功耗了功耗；

（3）本发明的前馈噪声抵消级用P型晶体管PM1和PM2实现，叠在电容交叉耦合的共栅放大级(2)的N型晶体管NM1和NM2之上，PM1的漏极与NM1的漏极相接，PM2的漏极与NM2的漏极相接，这样的连接方式需要的电压裕度较少，可以采用低电压供电，降低了功耗；

（4）本发明的前馈噪声抵消级用P型晶体管PM1和PM2实现，输出端的阻抗为晶体管的漏端阻抗并联，高的输出阻抗有助于实现较高的增益。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中采用差分电容交叉耦合的共栅低噪声放大器；