[发明专利]半导体装置制造用粘结片及半导体装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请基于并要求于2012年3月26日提交的日本专利申请特愿2012-70403号的优先权权益，其全部内容结合于此作为参照。

技术领域

本发明涉及半导体装置制造用粘结片以及半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，随着便携式个人电脑、移动电话等电子设备的小型化以及多功能化，除了需要构成电子设备的电子部件的小型化以及高集成化外，还需要电子部件的高密度安装技术。在这种情况下，能够高密度安装的CSP（Chip Scale Package：芯片尺寸封装）等表面安装型的半导体装置代替QFP（Quad Flat Package：四侧引脚扁平封装）或SOP（Small Outline Package：小型封装）等周边安装型的半导体装置受到人们的关注。并且，在CSP中，尤其是QFN（Quad Flat Non-leaded：四侧无引脚扁平封装）封装，由于能够利用现有的半导体装置制造技术制造，因此较为优选。因此，QFN封装主要用作100引脚以下的少端子型半导体装置。

作为QFN封装的制造方法，主要公开有以下方法。首先，在粘贴工序中，在引线框架的一面上粘贴粘结片。接着，在芯片粘接工序中，在形成于引线框架上的多个半导体元件装载部（晶片垫部）分别装载IC芯片等半导体元件。然后，在丝键合（wire bonding（线焊））工序中，通过键合丝（bonding wire（焊线））电连接沿引线框架的各半导体元件装载部外周配置的多个引线和半导体元件。然后，在密封工序中，利用密封树脂密封装载在引线框架上的半导体元件。之后，在剥离工序中，从引线框架剥离所述粘结片。通过上述工序，能够形成排列有多个QFN封装的QFN单元。最后，在切割工序中，沿着各QFN封装的外周切割QFN单元。通过这些工序，能够制造出多个QFN封装。

目前，在QFN封装的制造方法中，采用了使用硅树脂粘着剂或丙烯酸（酯）树脂粘着剂的半导体装置制造用粘结片。但是，如果使用这些半导体装置制造用粘结片，则在密封工序中有可能出现树脂泄露（模子溢料）的问题。

此外，通常在丝键合工序前设置进行等离子体处理的工序（等离子体清除工序），从而去除附着在半导体元件以及例如引线框架表面上的杂质，以进一步提高丝键合特性。但是，使用现有的半导体装置制造用粘结片时，半导体装置制造用粘结片的粘结剂的露出面表层由于等离子清除而被粗糙化。结果，在剥离半导体制造用粘结片时，有可能发生粘结剂转移到半导体装置的连接端子或密封树脂表面的现象（下面记作“粘性转移”）。当发生这样的粘性转移时，粘结剂粘着在用密封树脂密封的部分或其附近的引线的外部连接端子部分。因此，当将所制造的半导体装置安装于布线基板等时有时发生连接不良等问题。

针对这样的问题，提出了包括含有热固化性树脂成分、热可塑性树脂成分以及氟系添加剂的粘结剂层的半导体装置制造用粘结片（例如，专利文献1）。根据专利文献1，即使不进行等离子处理，也可实现良好的丝键合特性，因此可以减少等离子处理带来的粘性转移问题。

但是，在专利文献1的发明中，虽然可以减少粘性转移问题，但存在对密封树脂的粘结强度较强而难以剥离的问题。并且，半导体装置制造用粘结片在包括等离子清除工序的制造方法中，要求具有能够以较小的剥离力即可剥离的剥离性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-123710号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有良好剥离性的半导体装置制造用粘结片。

本发明的半导体装置制造用粘结片包括基材以及设在所述基材的一面上且含有含氟添加剂的粘结剂层，并且能够剥离地粘贴在半导体装置的引线框架或配线基板上，其中，所述粘结剂层按照下述（I）式求出的表面氟复原率在70%以上。

表面氟复原率（%）＝复原后表面氟含有率α÷初始表面氟含有率β×100   …（I）

在（I）式中，复原后表面氟含有率α是对粘结剂层在氩气环境下以450W的输出条件进行1分钟的等离子体处理，然后将粘结剂层在220℃下加热15分钟后的粘结剂层的表面的氟含有率（atom%），初始表面氟含有率β是进行所述等离子体处理前的粘结剂层的表面的氟含有率（atom%）。

所述复原后表面氟含有率α优选在18atom%以上。