[发明专利]MEMS芯片及其圆片级封装的盖板接地方法

权利要求书

1.MEMS芯片，由盖板、MEMS结构层和底板组成，盖板包括盖板表面和盖板斜侧面，盖板下部至少有一个向下的上腔体，底板上部至少有一个向上的下腔体，上、下腔体形成一个密封腔，MEMS结构层的可动部分位于密封腔内，盖板与MEMS结构层间有盖板绝缘层，MEMS结构层与底板之间有底板绝缘层，底板绝缘层通过焊料层与MEMS结构层连接，底板绝缘层上至少有一个压焊块，MEMS结构层通过接地导线与至少一个压焊块电连接，其特征在于：盖板斜侧面沉积有金属导线，金属导线一端连接盖板，另一端连接MEMS结构层。

2.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：盖板表面上也沉积有金属导线。

3.MEMS芯片圆片级封装的盖板接地方法，步骤为：

（1）盖板刻蚀：将盖板进行无掩模刻蚀，减薄盖板，同时形成盖板斜侧面，露出盖板绝缘层；

（2）盖板绝缘层刻蚀：将经过步骤（1）刻蚀后的MEMS芯片进行选择性刻蚀，只刻蚀盖板绝缘层，未被盖板覆盖的盖板绝缘层被除去，被盖板覆盖的盖板绝缘层被保留，同时露出MEMS结构层和压焊块；

（3）溅射金属导线：在步骤（2）刻蚀后的MEMS芯片的盖板上覆盖掩模，掩模分掩蔽部分和窗口部分，使窗口部分位于盖板斜侧面和MEMS结构层露出部分的上方，窗口部分形状与待溅射的金属导线形状相匹配，在掩模上方竖直向下溅射金属离子，金属离子通过窗口部分沉积在盖板斜侧面和MEMS结构层上，形成金属导线，从而电连接盖板和MEMS结构层。

4.如权利要求3所述的MEMS芯片圆片级封装的盖板接地方法，其特征在于：步骤（1）所述的无掩模刻蚀是干法无掩模刻蚀。

5.如权利要求3所述的MEMS芯片圆片级封装的盖板接地方法，其特征在于：步骤（2）所述的选择性刻蚀是干法无掩模选择性刻蚀。

6.如权利要求3至5中任一项所述的MEMS芯片圆片级封装的盖板接地方法，其特征在于：步骤（3）中还在盖板表面上溅射金属导线。