[发明专利]低成本的太阳能电池及其生产方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，包括：

获得基本上由被掺杂为p-型或n-型的冶金级硅组成的多晶硅晶片；

织构该晶片的正面；

直接在该晶片的正面上并且与该晶片的正面接触地沉积本征层；

在所述本征层上并且与该本征层接触地沉积与该晶片相反极性的掺杂层；

在所述掺杂层上形成顶导电接触；以及

在所述晶片的底面上形成底导电接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成本征层和形成掺杂层中的至少一个包括形成非晶层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成本征层和形成掺杂层中的至少一个包括形成氢化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成底导电接触包括在所述晶片的底面上形成与所述晶片的极性相同的掺杂导电层和在该掺杂导电层上形成金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成顶导电接触包括在所述掺杂层上形成透明导体。

6.根据权利要求4所述的方法，进一步包括在所述晶片的底面与所述掺杂导电层之间形成非晶本征层。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，形成金属层包括溅射铝层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片是p-型，所述掺杂层是n-型。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成透明导体包括形成氧化铟锡（ITO）层。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括在所述ITO上制造顶电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，制造顶电极包括丝网印刷银糊。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，织构正面包括蚀刻所述正面。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片是p-型，并且具有0.1-1ohm·cm的电阻率。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，形成本征层包括在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）室中处理所述晶片以及使用与氢气（H₂）混合的硅烷气（SiH₄）来维持等离子体。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，形成掺杂层包括在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）室中处理所述晶片以及使用硅烷、氢和磷化氢气体来维持等离子体。

16.根据权利要求4所述的方法，其中，形成掺杂导电层包括在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）室中处理所述晶片以及使用硅烷、氢和乙硼烷气体来维持等离子体。

17.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成本征层包括形成非晶的、氢化的本征层；

形成掺杂层包括形成非晶的、氢化的n-型层；

形成底导电接触包括在所述晶片的底面上形成p-型层和在掺杂导电层上形成金属层；以及

形成顶导电接触包括在掺杂层上形成透明导体层以及在透明导体层上形成顶电极。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，制造顶电极包括丝网印刷银糊。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，形成金属层包括溅射铝层。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，织构正面包括蚀刻所述正面。