[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310094941.1 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103378290A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李相昑;李宰渊;孙东熙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;石卓琼 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种可变电阻存储器件，包括：
垂直电极，所述垂直电极从衬底垂直地伸出；
第一水平电极，所述第一水平电极沿着所述垂直电极层叠；
第二水平电极，所述第二水平电极沿着所述垂直电极层叠；以及
可变电阻层，所述可变电阻层插入在所述垂直电极与所述第一水平电极和所述第二水平电极之间，
其中，所述第一水平电极和所述第二水平电极布置在彼此交叉的方向上。
2.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述第一水平电极和所述第二水平电极构成的各个对平行布置，在所述第一水平电极和所述第二水平电极之间插入有所述垂直电极。
3.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述可变电阻层包围所述垂直电极的侧表面。
4.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，还包括：
选择元件，所述选择元件插入在所述第一水平电极和所述第二水平电极与所述可变电阻层之间。
5.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述可变电阻层具有因氧空位或离子迁移或者物质相变而改变的电阻。
6.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述可变电阻层具有磁性隧道结MTJ结构，所述磁性隧道结结构具有根据磁场或自旋转移力矩STT而改变的电阻。
7.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，在平行于衬底方向上截取的所述垂直电极的截面具有长方形或椭圆形的形状。
8.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述第一水平电极通过位于所述第一水平电极之间的第一层间电介质层彼此电隔离，以及所述第二水平电极通过位于所述第二水平电极之间的第二层间电介质层彼此电隔离。
9.如权利要求8所述的可变电阻存储器件，其中，所述垂直电极包括与所述第一层间电介质层和所述第一水平电极相对应的第一垂直电极以及与所述第二层间电介质层和所述第二水平电极相对应的第二垂直电极。
10.如权利要求9所述的可变电阻存储器件，其中，所述第二垂直电极的侧表面相比于所述第一垂直电极的侧表面侧向地伸出。
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