[发明专利]供极远紫外线光刻工艺期间使用的薄膜

权利要求书

1.一种极远紫外线辐射装置，其包括：

标线片；

衬底支承平台；

位在该标线片与该衬底支承平台之间的薄膜，其中该薄膜由至少一种单原子面材料的多个层组成；以及

辐射源，其适合以约20纳米或更小的波长产生将会被导引通过该薄膜朝向该标线片的辐射。

2.根据权利要求1所述的装置，其中该薄膜更包括在约6至20纳米的极远紫外线光谱区内有至多约0.02的消光系数的低吸收率材料层，其中该等多个单原子面材料层中的至少一层形成于该低吸收率材料层上。

3.根据权利要求1所述的装置，其中该至少一种单原子面材料由以下材料中的至少一种组成：石墨烯、六方氮化硼、二硫化钼、硒化钼、碲化钼、二硫化钨、硒化钽、硒化铌、碲化镍、以及碲化铋。

4.根据权利要求1所述的装置，其中该薄膜只由多个石墨烯层组成。

5.根据权利要求1所述的装置，其中该薄膜只由多个六方氮化硼层组成。

6.根据权利要求1所述的装置，其中该薄膜由多个石墨烯层及多个六方氮化硼层组成。

7.根据权利要求1所述的装置，其中该薄膜由选自下列材料的多个层组成：石墨烯、六方氮化硼、二硫化钼、硒化钼、碲化钼、二硫化钨、硒化钽、硒化铌、碲化镍、以及碲化铋。

8.根据权利要求1所述的装置，其中该薄膜由在约6至20纳米的极远紫外线光谱区内有至多约0.02的消光系数的低吸收率材料层以及多个单原子面材料层组成，其中安置该等多个单原子面材料层的至少第一及第二层于该低吸收率材料层的相反两面上。

9.根据权利要求1所述的装置，其中该薄膜由在约6至20纳米的极远紫外线光谱区内有至多约0.02的消光系数的低吸收率材料层组成，该低吸收率材料层位于多个第一单原子面材料层与多个第二单原子面材料层之间。

10.一种极远紫外线辐射装置，其包括：

标线片；

衬底支承平台；

位在该标线片与该衬底支承平台之间的薄膜，其中该薄膜由石墨烯或六方氮化硼中的至少一者的多个层组成；以及

辐射源，其适合以约20纳米或更小的波长产生将会被导引通过该薄膜朝向该标线片的辐射。

11.根据权利要求10所述的装置，其中该薄膜更包括在约6至20纳米的极远紫外线光谱区内有至多约0.02的消光系数的低吸收率材料层，其中该等多个层中的至少一层形成于该低吸收率材料层上。

12.根据权利要求10所述的装置，其中该薄膜只由多个石墨烯层组成。

13.根据权利要求10所述的装置，其中该薄膜只由多个六方氮化硼层组成。

14.根据权利要求10所述的装置，其中该薄膜由多个石墨烯层及多个六方氮化硼层组成。

15.根据权利要求10所述的装置，其中该薄膜由在约6至20纳米的极远紫外线光谱区内有至多约0.02的消光系数的低吸收率材料层及多个石墨烯层组成，其中该等多个石墨烯层中的至少第一及第二层位于该低吸收率材料层的相反两面上。

16.根据权利要求10所述的装置，其中该薄膜由在约6至20纳米的极远紫外线光谱区内有至多约0.02的消光系数的低吸收率材料层及多个六方氮化硼层组成，其中该等多个六方氮化硼层中的至少第一及第二层位于该低吸收率材料层的相反两面上。

17.根据权利要求10所述的装置，其中该薄膜由在约6至20纳米的极远紫外线光谱区内有至多约0.02的消光系数的低吸收率材料层组成，该低吸收率材料层位于多个石墨烯层与多个六方氮化硼层之间。

18.一种方法，其包括下列步骤：

在标线片与半导体衬底之间安置薄膜，其中该薄膜由至少一种单原子面材料的多个层组成；

产生波长约有20纳米或更小的辐射；以及

引导该产生的辐射通过该薄膜朝向该标线片，使得该产生的辐射有很大一部份反射离开该标线片回来通过该薄膜朝向该晶圆。

19.根据权利要求18所述的方法，其更包括，在照射该晶圆后，移走该晶圆以及使另一晶圆位在该薄膜下以及对于该另一晶圆执行如权利要求18所述的步骤。