[发明专利]一种晶圆测试方法有效
| 申请号: | 201310093893.4 | 申请日: | 2013-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN103163442A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
| 发明(设计)人: | 王钊;田文博;尹航 | 申请(专利权)人: | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 戴薇 |
| 地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 测试 方法 | ||
1.一种晶圆测试方法,其特征在于,其包括:
为晶圆设定非正常晶片映射图,其中该非正常晶片映射图包括有晶圆上的非正常晶片区域;和
根据所述非正常晶片映射图对待测晶圆上的各个正常晶片区域进行测试而跳过对非正常晶片区域的测试。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述非正常晶片区域包括测试器件区域和/或分布在晶圆周边的晶片区域。
3.根据权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述为晶圆设定非正常晶片映射图包括:
对多个晶圆进行测试,将坏片几率高于预定值的晶片区域设定为非正常晶片区域;和/或
将晶圆中的测试器件区域设定为非正常晶片区域。
4.根据权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述根据所述非正常晶片映射图对待测晶圆上的各个正常晶片区域进行测试而跳过非正常晶片区域包括:
对待测晶圆上的一个正常晶片区域进行测试;
判定下一个晶片区域是否属于非正常晶片区域,如果是,则重复此步骤,如果否,在对上一个正常晶片区域测试完成后将测试探针移动至下一个正常晶片区域并进行测试。
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