[发明专利]碳化硅的成膜装置及成膜方法

权利要求书

1.一种碳化硅的成膜装置，其特征在于，具有：

成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；

温度测定部，测定上述成膜室内部的温度；

多个加热机构，配置在上述成膜室的内部；

输出控制部，独立地控制上述多个加热机构的各输出；

基板搬送部，相对于上述成膜室的内部搬出搬入进行碳化硅的成膜处理的基板；以及

基座，载放上述基板，

上述输出控制部为，当对上述基板的成膜处理结束时，使上述多个加热机构中的至少一个加热机构的输出关闭或降低，

当由上述温度测定部测定的温度成为上述基板搬送部能够在上述成膜室的内部动作的温度时，使关闭或降低了输出的上述加热机构中的至少一个加热机构的输出开启或上升，

通过上述基板搬送部将结束了上述成膜处理的基板从上述成膜室搬出。

2.如权利要求1所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

上述多个加热机构具有：

第一加热机构，配置在上述基座的下方；以及

第二加热机构，配置在上述基座的上方，

上述输出控制部为，当对上述基板的成膜处理结束时，使上述第一加热机构的输出关闭或使输出降低。

3.如权利要求1所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

上述多个加热机构具有：

第一加热机构，配置在上述基座的下方；以及

第二加热机构，配置在上述基座的上方，具有沿铅垂方向排列的多个加热机构，

上述输出控制部为，当对上述基板的成膜处理结束时，使至少一个该第二加热机构的输出关闭或降低。

4.如权利要求3所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

上述输出控制部为，当对上述基板的成膜处理结束时，使构成上述第二加热机构的加热机构中、处于最靠近上述基板的位置的加热机构的输出关闭或降低。

5.如权利要求3或4所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

当由上述温度测定部测定的温度成为上述基板搬送部能够在上述成膜室的内部动作的温度时，使构成上述第二加热机构的加热机构中、处于离上述基板最远的位置的加热机构的输出开启或上升，

通过上述基板搬送部将结束了上述成膜处理的基板从上述成膜室搬出。

6.如权利要求1所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

具有传感器，该传感器检测结束了上述成膜处理的基板被从上述成膜室搬出的情况，

接受来自上述传感器的信号，而上述输出控制部独立地控制上述多个加热机构的各输出。

7.如权利要求1所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

上述反应气体含有从由硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷及四氯化硅形成的组中选择的一种以上、和从由丙烷及乙烯形成的组中选择的一种以上。

8.一种碳化硅的成膜方法，其特征在于，

向成膜室的内部供给反应气体，在通过多个加热机构加热基板的同时在该基板上形成了碳化硅的膜之后，使上述多个加热机构中的至少一个加热机构的输出关闭或降低，当上述成膜室内部的温度成为第一温度以下时，使关闭或降低了输出的上述加热机构中的至少一个加热机构的输出开启或上升，并且将基板搬送部导入上述成膜室的内部，当上述成膜室内部的温度成为比上述第一温度低的第二温度以下时，通过上述基板搬送部将上述基板向上述成膜室的外部搬出，接着，在通过上述基板搬送部将其他基板搬送到上述成膜室的内部之后，使剩余的上述加热机构的输出开启或上升。

9.如权利要求8所述的碳化硅的成膜方法，其特征在于，

上述多个加热机构具有：

第一加热机构，配置在载放上述基板的基座的下方；以及

第二加热机构，配置在上述基座的上方，

当对上述基板的成膜处理结束时，使上述第一加热机构的输出关闭或使输出降低。

10.如权利要求8所述的碳化硅的成膜方法，其特征在于，

上述多个加热机构具有：

第一加热机构，配置在载放上述基板的基座的下方；以及

第二加热机构，配置在上述基座的上方，具有沿铅垂方向排列的多个加热机构，

当对上述基板的成膜处理结束时，使至少一个该第二加热机构的输出关闭或降低。