[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的TiO_2-xF_x层及MO₃层，其中，x为0.1～0.6，MO₃为氧化钨、氧化钼和氧化铼中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述TiO_2-xF_x层的厚度为50nm～300nm，所述MO₃层的厚度为0.5nm～5nm。

3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将TiO_2-xF_x靶材、MO₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-5Pa～1.0×10^-3Pa，所述TiO_2-xF_x靶材中的x为0.1～0.6，MO₃为氧化钨、氧化钼和氧化铼中的至少一种；

在所述衬底表面溅镀TiO_2-xF_x层，溅镀所述TiO_2-xF_x层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述TiO_2-xF_x层表面溅镀MO₃层，溅镀所述MO₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述TiO_2-xF_x靶材由以下步骤得到：将TiO₂和TiF₄粉体混合均匀，TiF₄的摩尔百分数为2.6%～17.6%，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结制成靶材。

5.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、TiO_2-xF_x层及MO₃层，其中，x为0.1～0.6，MO₃为氧化钨、氧化钼和氧化铼中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述TiO_2-xF_x层的厚度为50nm～300nm，所述MO₃层的厚度为0.5nm～5nm。

7.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将TiO_2-xF_x靶材、MO₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-5Pa～1.0×10^-3Pa，所述TiO_2-xF_x靶材中的x为0.1～0.6，MO₃为氧化钨、氧化钼和氧化铼中的至少一种；

在所述衬底表面溅镀TiO_2-xF_x层，溅镀所述TiO_2-xF_x层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述TiO_2-xF_x层表面溅镀MO₃层，溅镀所述MO₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃。