[发明专利]硅微通道板真空填蜡结构释放方法无效
| 申请号： | 201310092179.3 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103165362A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 梁永照;柴进;杨继凯;王国政;端木庆铎 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通道 真空 结构 释放 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅微通道板真空填蜡结构释放方法，在填蜡后抛光硅片背部，然后清洗并去蜡，其特征在于，所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内，再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉，抽真空后加热至所述石蜡熔化，熔化后的石蜡布满硅片正面，再将炉腔恢复常压，之后降温至室温。
2.根据权利要求所述的硅微通道板真空填蜡结构释放方法，其特征在于，将清洗后的硅片（1）与凝固状态的石蜡（2）一同放入容器（3）内时，硅片（1）正面朝上。
3.根据权利要求所述的硅微通道板真空填蜡结构释放方法，其特征在于，将炉腔（5）抽真空至真空度为0.080~0.100Pa。
4.根据权利要求所述的硅微通道板真空填蜡结构释放方法，其特征在于，炉腔（5）加热至50~135°C。
5.根据权利要求所述的硅微通道板真空填蜡结构释放方法，其特征在于，打开真空干燥炉（4）通气阀门向炉腔（5）内通入空气，将炉腔（5）恢复常压。
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