[发明专利]局部放电特高频检测装置的标定系统和标定方法

权利要求书

1.一种局部放电特高频检测装置的标定系统，包括标准天线、标准脉冲源、测控计算机和待测局部放电特高频检测装置，所述标准脉冲源、测控计算机和待测局部放电特高频检测装置顺序相连，所述待测局部放电特高频检测装置包括用于采集电压信号的传感器，其特征在于所述标定系统还包括同轴腔体；

所述同轴腔体由同轴的1个外圆柱体、1个内圆柱体、2个外圆锥体和2个内圆锥体组成，所述外圆柱体的底面周长和外圆锥体的底面周长相等，所述内圆柱体的底面周长和内圆锥体的底面周长相等，所述外圆柱体和内圆柱体的高相等，所述外圆锥体和内圆锥体的高相等；

所述2个外圆锥体分别扣合在外圆柱体的两个底面上形成外腔体，所述2个内圆锥体分别扣合在内圆柱体的两个底面上形成内腔体；外腔体的两个顶点分别与内腔体的两个顶点重合；

所述外圆柱体的中部开有测试窗；

所述同轴腔体的一个顶点用于接收标准脉冲源发出的输出电压。

2.根据权利要求1所述的标定系统，其特征在于所述同轴腔体的另一个顶点安装匹配电阻。

3.根据权利要求1或2所述的标定系统，其特征在于所述同轴腔体的内圆柱体和外圆柱体之间放置用于支撑内圆柱体的绝缘圆环，绝缘圆环的内环套在内圆柱体外壁，绝缘圆环的外环紧贴外圆柱体内壁。

4.根据权利要求3所述的标定系统，其特征在于所述同轴腔体的外圆柱体底面直径和同轴腔体的内圆柱体的底面直径的直径比为其中，D为同轴腔体的外圆柱体的底面直径，d为同轴腔体的内圆柱体的底面直径，Z₀为第一设定特征阻抗，ε₀为真空介电常数。

5.根据权利要求3所述的标定系统，其特征在于所述同轴腔体的内圆锥体/外圆锥体的高满足公式其中，Z为第二设定特征阻抗，ε₀为真空介电常数，μ₀为真空磁导率，R为同轴腔体的外圆锥体的底面半径，r为同轴腔体的内圆锥体的底面半径，l为同轴腔体的内圆锥体/外圆锥体的高。

6.一种使用如权利要求1-5任意一项权利要求所述的标定系统进行标定的方法，其特征是所述方法包括：

步骤1：开启标准脉冲源，利用标准天线测量标准脉冲源不同输出电压下同轴腔体的测试窗处的场强，而后关闭标准脉冲源；

步骤2：将传感器放置在同轴腔体的测试窗处，并将传感器与待测局部放电特高频检测装置相连；

步骤3：开启标准脉冲源，逐步减小标准脉冲源的输出电压，直至待测局部放电特高频检测装置检测不到标准脉冲源的输出电压，此时同轴腔体的测试窗处的场强即为待测局部放电特高频检测装置的灵敏度；

步骤4：逐步增加标准脉冲源的输出电压，直至待测局部放电特高频检测装置检测到的标准脉冲源的输出电压不再增加，即待测局部放电特高频检测装置检测到的标准脉冲源的输出电压饱和，此时同轴腔体的测试窗处的场强即为待测局部放电特高频检测装置的饱和值。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于所述待测局部放电特高频检测装置检测不到标准脉冲源的输出电压是指待测局部放电特高频检测装置检测到的输出信号的信噪比VSWR＜2。