[发明专利]抑制热簇集的半导体结构、制作抑制热簇集半导体元件的方法与抑制热簇集的方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制作方法，包括：

形成磊晶层而直接接触基材；

在形成所述磊晶层后进行热步骤，以形成掺质梯度区于所述磊晶层中，且所述掺质梯度区具有从所述基材向所述磊晶层方向渐减的掺质梯度；

在形成所述掺质梯度区后进行至少一元件步骤，而形成位于所述磊晶层中的复数个元件区，其中所述复数个元件区包括：

第一元件区以及第二元件区；以及

浅沟渠隔离区，其位于所述第一元件区以及所述第二元件区之间，并包括浅沟渠隔离以及包围所述浅沟渠隔离的隔离掺杂区，使得所述隔离掺杂区实质上接近所述掺质梯度区。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述基材、所述磊晶层与所述隔离掺杂区具有第一导电型，而所述第一元件区与所述第二元件区具有第二导电型。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述基材具有大于所述磊晶层的第二掺质浓度的第一掺质浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中在由轮廓模拟所决定的第一温度与第一时间下进行所述热步骤。

5.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中位于所述第一元件区中的第一元件与位于所述第二元件区中的第二元件分别独立为影像传感器。

6.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述浅沟渠隔离区与所述掺质梯度区一起建立位能障碍，以抑制从所述第一元件区经由所述磊晶层流向所述第二元件区的暗电流所造成的热簇集。

7.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述浅沟渠隔离区实质上与所述掺质梯度区重叠，以抑制从所述第一元件区经由所述磊晶层流向所述第二元件区的暗电流所造成的热簇集。

8.根据权利要求7所述的半导体元件的制作方法，其中所述浅沟渠隔离区实质上与所述掺质梯度区重叠，以阻断所述暗电流。

9.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述第一元件区与所述第二元件区中还分别形成有第一元件掺杂区以及第二元件掺杂区，且所述浅沟渠隔离区较所述第一元件掺杂区与所述第二元件掺杂区的至少一个更接近所述掺质梯度区。

10.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述掺质梯度区为反向扩散区。

11.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述元件步骤包括退火步骤以调整所述掺质梯度。

12.一种抑制热簇集的方法，包括：

形成位于基材上并直接接触所述基材的磊晶层，其中所述基材具有大于所述磊晶层的第二掺质浓度的第一掺质浓度；以及

进行包括热步骤的元件步骤，而形成位于所述磊晶层中的复数个元件区，其中所述复数个元件区包括：

第一元件区，包括第一元件掺杂区以及第一元件；

第二元件区，包括第二元件掺杂区以及第二元件；以及

浅沟渠隔离区，其位于所述第一元件区以及所述第二元件区之间，并包括浅沟渠隔离以及包围所述浅沟渠隔离的隔离掺杂区，其中所述热步骤使得所述基材与所述磊晶层之间形成掺质梯度区，而具有从所述基材向所述磊晶层渐减的掺质梯度，使得所述浅沟渠隔离区实质上接近所述掺质梯度区，以抑制所述第一元件区影响所述第二元件区所形成的热簇集。

13.根据权利要求12所述的抑制热簇集的方法，其中所述基材、所述磊晶层与所述浅沟渠隔离区具有第一导电型，而所述第一元件区与所述第二元件区具有第二导电型，且所述第一导电型为P型，而所述第二导电型为N型。

14.根据权利要求12所述的抑制热簇集的方法，其中所述第一元件与所述第二元件分别独立为影像传感器。

15.根据权利要求14所述的抑制热簇集的方法，其中所述浅沟渠隔离区实质上与所述掺质梯度区重叠，以抑制从所述第一元件区经由所述磊晶层流向所述第二元件区的暗电流。

16.根据权利要求12所述的抑制热簇集的方法，其中所述浅沟渠隔离区较所述第一元件区与所述第二元件区的至少一个更接近所述掺质梯度区。