[发明专利]图像拾取装置和图像拾取显示系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种包括光电转换元件的图像拾取装置和包括这样的图像拾取装置的图像拾取显示系统。

背景技术

已经提出了作为图像拾取装置的各种类型的装置，该图像拾取装置包括在像素中的光电转换元件（图像拾取像素）。如上所述的这样的图像拾取装置的示例包括所谓的光学触摸板和放射线（例如，X射线）图像拾取装置等。

所谓的间接转换型放射线图像拾取装置和所谓的直接转换型放射线图像拾取装置可用于作为在上面的图像拾取装置中的放射线图像拾取装置。在上述的装置中，间接转换型放射线图像拾取装置是下述类型的：其使用闪烁器等来通过波长转换来将已经入射的放射线转换为可见光，然后通过光电二极管将可见光进行光电转换以获得信号电荷。另一方面，直接转换型放射线图像拾取装置是使用基于入射的放射线来产生信号电荷的非晶半导体（α-Se等）的类型（例如，参见日本未审查专利申请公布No.2002-311144）。

发明内容

在直接转换型放射线图像拾取装置中，在一对电极之间插入如上所述的非晶体，并且通过在该电极之间施加电压而已经在半导体内产生的电荷（电子/空穴）被移动到相应的电极。通过使用像素电路从一个电极（像素电极）读出电荷（信号电荷）来获得图像信号，该像素电路包括场效应晶体管和保持电容元件等。

然而，在执行读取操作后，信号电荷容易剩余在半导体层的局部区域中，并且，如此剩余的电荷可以引起在拾取的图像的图像质量上的降低。因此，期望通过抑制信号电荷的剩余来实现在图像质量上的改善。

期望提供一种能够实现在拾取图像的图像质量上的改善的图像拾取装置和包括这样的图像拾取装置的图像拾取显示系统。

根据本公开的一个实施例的一种图像拾取装置包括：图像拾取部分，其包括多个像素；以及，驱动部分，用于读取在所述像素的每一个中存储的信号电荷。所述像素的每一个包括：电路层，其包括场效应晶体管、信号线和保持电容元件；第一电极，其被设置在所述电路层上并且对于所述像素的每一个被布置；半导体层，其跨越所述多个像素被设置于所述第一电极上，并且基于入射的放射线来产生所述信号电荷；第二电极，其被设置在所述半导体层上；以及，第三电极，其被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述第一电极相对的区域中，并且由所述驱动部分电压控制。

根据本公开的一个实施例的一种图像拾取显示系统具有图像拾取装置和基于由所述图像拾取装置获得的图像拾取信号来执行图像显示的显示装置。所述图像拾取装置包括：图像拾取部分，其包括多个像素；以及，驱动部分，用于读取在所述像素的每一个中存储的信号电荷。所述像素的每一个包括：电路层，其包括场效应晶体管、信号线和保持电容元件；第一电极，其被设置在所述电路层上并且对于所述像素的每一个被布置；半导体层，其跨越所述多个像素被设置于所述第一电极上，并且基于入射的放射线来产生所述信号电荷；第二电极，其被设置在所述半导体层上；以及，第三电极，其被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述第一电极相对的区域中，并且由所述驱动部分在电压上控制。

在根据本公开的上述实施例的图像拾取装置和图像拾取显示系统中，当所述放射线入射在所述像素的每一个中的半导体层上时，在所述半导体层中产生所述信号电荷，并且所述信号电荷被存储在所述像素中。从所述像素的每一个读出如此存储的所述信号电荷，以获得基于所述入射的放射线的拾取的图像。在此，所述第三电极被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述电极相对的区域中，并且由所述驱动部分控制要向所述第三电极施加的电压。因此，抑制了在电场难以达到的区域中的信号电荷的残留，所述区域例如特别地但是非限制地是在所述半导体层的第一电极之间（像素之间）的区域。

根据本公开的上述实施例的图像拾取装置和图像拾取显示系统，读出在像素的每一个中存储的信号电荷，由此获取基于入射的放射线的拾取的图像。在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述电极相对的区域中布置由所述驱动部分在电压上控制的第三电极，这允许抑制在所述半导体层的局部区域中的所述信号电荷的残留。因此，有可能实现在拾取的图像的图像质量上的改善。

应当明白，上述的一般说明和下面的详细说明两者是示例性的，并且意欲提供所要求保护的技术的进一步的说明。

附图说明

附图被包括以进一步理解本公开，并且被包含在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例，并且与说明书一起用于解释本技术的原理。

图1是图示根据本公开的一个实施例的图像拾取装置的一般配置的示例的框图。