[发明专利]场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

衬底；

在所述衬底上的器件隔离层；以及

鳍，从所述衬底延伸以从所述器件隔离层突出，所述鳍包括所述场效应晶体管的阈值电压控制区以及所述场效应晶体管的载流子区，所述阈值电压控制区掺杂有第一浓度的杂质，所述载流子区掺杂有比所述第一浓度的杂质少的第二浓度的杂质，

其中包括所述阈值电压控制区和所述载流子区的所述鳍的总宽度小于10nm；以及

其中所述载流子区包括所述鳍的内部部分，所述阈值电压控制区包括在所述内部部分上生长的所述鳍的外部部分。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中包括所述阈值电压控制区和所述载流子区的所述鳍的总宽度小于在所述鳍中发生体反型的量。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述第二浓度的杂质包括从所述第一浓度的杂质扩散的杂质。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述第二浓度的杂质包括所述第一浓度的杂质的百分之十或更少。

5.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的器件隔离层；

第一晶体管，包括从所述器件隔离层突出的第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一半导体层和第一阈值电压控制区，所述第一半导体层在所述第一晶体管的运行期间提供第一沟道，所述第一阈值电压控制区比所述第一半导体层更重地掺杂以提供第一阈值电压；

与所述第一半导体结构交叉的第一栅电极和第一栅电介质层；

第二晶体管，包括从所述器件隔离层突出的第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二半导体层和第二阈值电压控制区，所述第二半导体层在所述第二晶体管的运行期间提供第二沟道，所述第二阈值电压控制区比所述第二半导体层更重地掺杂以提供第二阈值电压；以及

与所述第二半导体结构交叉的第二栅电极和第二栅电介质层；以及

其中所述第一阈值电压和所述第二阈值电压包括不同的阈值电压，

其中包括所述第一阈值电压控制区和所述第一半导体层的所述第一半导体结构的总宽度小于在所述第一半导体结构中发生体反型的量；以及

其中所述第一半导体层包括所述第一半导体结构的内部部分，所述第一阈值电压控制区包括在所述内部部分上生长的所述第一半导体结构的外部部分。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述衬底包括绝缘体上硅衬底。

7.一种场效应晶体管，包括：

衬底；

在所述衬底上的器件隔离层；

鳍，包括小于10nm的总宽度，所述鳍包括：

所述鳍的内部部分，从所述衬底延伸以从所述器件隔离层突出，以提供上侧壁、顶表面和沟道区，所述鳍的所述内部部分掺杂有第一浓度的杂质；

所述鳍的外部部分，包括在所述鳍的所述内部部分的所述顶表面上和所述上侧壁上生长的半导体层，所述半导体层掺杂有比所述第一浓度的杂质多的第二浓度的杂质；以及

与所述鳍交叉的栅结构，该栅结构位于所述沟道区的相反侧，其中所述内部部分包括所述鳍的载流子区，而所述外部部分包括阈值电压控制区。

8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其中所述第一浓度的杂质包括从所述第二浓度的杂质扩散的杂质。

9.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其中所述第一浓度的杂质包括所述第二浓度的杂质的百分之十或更少。

10.根据权利要求7所述的场效应晶体管，还包括：

相邻于所述鳍的升高的源/漏极区，所述升高的源/漏极区包括与所述鳍的所述内部部分和所述外部部分的相应晶格常数不同的晶格常数。