[发明专利]一种电可编程熔丝器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种电可编程熔丝器件结构，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的绝缘氧化层；

在所述绝缘氧化层上形成的电可编程熔丝结构的阴极、阳极和连接所述阴极和所述阳极的熔丝，以及用于实现具有均匀且狭窄的熔丝的电可编程电熔丝器件结构的位于所述熔丝两侧的虚拟多晶硅层。

2.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件结构，其特征在于，所述绝缘氧化层为浅沟槽隔离氧化层。

3.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件结构，其特征在于，所述阴极的尺寸大于所述阳极的尺寸。

4.如权利要求3所述的电可编程熔丝器件结构，其特征在于，所述虚拟多晶硅层与所述阴极相连接且位于所述阳极的两侧。

5.如权利要求3所述的电可编程熔丝器件结构，其特征在于，所述虚拟多晶硅层与所述阴极不相连接且位于所述阳极的两侧。

6.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件结构，其特征在于，所述虚拟多晶硅层为分别与所述阴极和所述阳极相连接的断开结构。

7.如权利要求6所述的电可编程熔丝器件结构，其特征在于，所述虚拟多晶硅层为被切断形成的虚拟多晶硅层。

8.如权利要求7所述的电可编程熔丝器件结构，其特征在于，采用P2-掩膜来切断所述虚拟多晶硅层。

9.一种制造如权利要求1-8中任何一项所述的电可编程熔丝器件结构的制作方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成绝缘氧化层；

在所述绝缘氧化层上形成多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层以形成电可编程熔丝器件结构的阴极、阳极和连接所述阴极和所述阳极的熔丝，以及位于所述熔丝两侧的虚拟多晶硅层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括切断所述虚拟多晶硅层的步骤。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述切断步骤中所述虚拟多晶硅层被完全的去除。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括在所述电可编程熔丝器件结构的多晶硅层上依次形成自对准多晶硅化物层、接触孔刻蚀停止层和层间介质层，以及在所述层间介质层中形成连接所述阴极和所述阳极的接触孔的步骤。