[发明专利]输出电压大摆幅的高精度高速度电流驱动电路

权利要求书

1.一种输出电压大摆幅的高精度高速度电流驱动电路，其特征在于，包括：

单管电流镜，用于产生输出电流和输出电压；

与所述单管电流镜连接的电流反馈放大器，用于根据所述单管电流镜的部分输出电流产生反馈信息并根据所述反馈信息来驱动所述单管电流镜。

2.根据权利要求1所述的输出电压大摆幅的高精度高速度电流驱动电路，其特征在于，所述单管电流镜包括：第一PMOS晶体管MS和第二PMOS晶体管组MX，其中，所述第二PMOS晶体管组MX包括并联而成的多个PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管MS的栅极与所述第二PMOS晶体管组MX的栅极、所述电流反馈放大器的输出端连接，所述第一PMOS晶体管MS的源极与电源电压VDD连接，所述第一PMOS晶体管MS的漏极与所述电流反馈放大器的第一输入端连接，所述第二PMOS晶体管组MX的栅极与所述第一PMOS晶体管MS的栅极、所述电流反馈放大器的输出端连接，所述第二PMOS晶体管组MX的源极与电源电压VDD连接，所述第二PMOS晶体管组MX的漏极用于产生输出电流IOUT和输出电压VOUT，所述第二PMOS晶体管组MX中的一个PMOS晶体管的漏极与所述电流反馈放大器的第二输入端连接。

3.根据权利要求2所述的输出电压大摆幅的高精度高速度电流驱动电路，其特征在于，所述电流反馈放大器包括：第三PMOS晶体管MP1、第四PMOS晶体管MP2、第一NMOS晶体管MN1、参考电流源I_REF、第一偏置电流源I_BIAS1、第二偏置电流源I_BIAS2以及第三偏置电流源I_BIAS3；

所述第三PMOS晶体管MP1的栅极与所述第四PMOS晶体管MP2的栅极连接，所述第三PMOS晶体管MP1的源极作为电流反馈放大器的第一输入端并与所述第一NMOS晶体管MN1的栅极、所述单管电流镜中的所述第一PMOS晶体管MS的漏极连接，所述第三PMOS晶体管MP1的漏极与所述第一NMOS晶体管MN1的源极连接，所述第四PMOS晶体管MP2的栅极与第三PMOS晶体管MP1的栅极连接，所述第四PMOS晶体管MP2的源极作为电流反馈放大器的第二输入端并与所述单管电流镜中所述第二PMOS晶体管组MX中的一个PMOS晶体管的漏极连接，所述第四PMOS晶体管MP2的漏极与所述第四PMOS晶体管MP2的栅极连接，所述第一NMOS晶体管MN1的栅极与所述第三PMOS晶体管MP1的源极、所述单管电流镜中的所述第一PMOS晶体管MS的漏极连接，所述第一NMOS晶体管MN1的源极与所述第三PMOS晶体管MP1的漏极连接，所述第一NMOS晶体管的漏极作为电流反馈放大器的输出端并与所述单管电流镜中的所述第一PMOS晶体管MS的栅极、所述第二PMOS晶体管组MX的栅极连接；

所述第三PMOS晶体管MP1的漏极与地GND之间连接有参考电流源I_REF，所述第一NMOS晶体管MN1的漏极与电源电压VDD之间连接有第一偏置电流源I_BIAS1，所述第一NMOS晶体管MS的源极与地GND之间连接有第二偏置电流源I_BIAS2，所述第四PMOS晶体管MP2的漏极与地GND之间连接有第三偏置电流源I_BIAS3。

4.根据权利要求1所述的输出电压大摆幅的高精度高速度电流驱动电路，其特征在于，所述输出电压摆幅接近于电源电压。