[发明专利]光纤对准基座阵列的制造方法

权利要求书

1.一种光纤对准基座阵列的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅晶圆的正面生长第一氧化硅薄膜；

步骤二、采用外延生长工艺在所述第一氧化硅薄膜表面生长第二单晶硅薄膜；

步骤三、在所述硅晶圆的背面生长第三氧化硅薄膜；

步骤四、在所述第二单晶硅薄膜表面涂布光刻胶并采用第一光刻版进行曝光显影形成第一光刻胶图形，所述第一光刻版定义有光纤对准基座阵列图形，该光纤对准基座阵列图形定义出光纤对准基座的孔的尺寸和排列阵列；所述第一光刻胶图形的光纤对准基座的孔的尺寸和排列阵列和所述光纤对准基座阵列图形的相同；

步骤五、以所述第一光刻胶图形为掩膜，在硅干法刻蚀机台中对所述第二单晶硅薄膜进行硅刻蚀形成正面硅通孔，所述正面硅通孔的刻蚀停止在所述第一氧化硅薄膜的上表面上；

步骤六、将所述正面硅通孔刻蚀后所残留的光刻胶和有机刻蚀反应聚合物去除；

步骤七、将所述硅晶圆反转，在所述第三氧化硅薄膜的背面表面涂布光刻胶并采用所述第一光刻版进行曝光显影并形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形的光纤对准基座的孔和所述第二光刻胶图形的光纤对准基座的孔对准、且所述第二光刻胶图形的光纤对准基座的孔的孔径比所述第一光刻胶图形的光纤对准基座的孔的孔径大5μm～20μm；

步骤八、以所述第二光刻胶图形为掩膜，在介质膜刻蚀机台中对所述第三氧化硅薄膜进行刻蚀形成氧化硅硬质掩膜图形，该氧化硅硬质掩膜图形的刻蚀停止在所述硅晶圆背面表面中；

步骤九、以所述第二光刻胶图形和所述氧化硅硬质掩膜图形为掩膜，在硅干法刻蚀机台中对所述硅晶圆进行背面硅刻蚀形成背面硅通孔，所述背面硅通孔的刻蚀停止在所述第一氧化硅薄膜的下表面上；所述背面硅通孔的孔径比所述正面硅通孔的孔径大5μm～20μm；

步骤十、将所述背面硅通孔刻蚀后所残留的光刻胶和有机刻蚀反应聚合物去除；

步骤十一、在湿法刻蚀机台中去除所述第三氧化硅薄膜、以及位于所述正面硅通孔和所述背面硅通孔之间的所述第一氧化硅薄膜，刻蚀后，所述正面硅通孔和所述背面硅通孔连通形成光纤对准基座通孔，并在整个所述硅晶圆上形成由所述光纤对准基座通孔组成的光纤对准基座阵列。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述第一氧化硅薄膜采用化学气相沉积或者物理气相沉积的方法生长，所述第一氧化硅薄膜的厚度为0.5μm～5μm。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中所述第二单晶硅薄膜的厚度为5μm～200μm之间。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中所述第三氧化硅薄膜采用化学气相沉积或者物理气相沉积的方法生长，所述第三氧化硅薄膜的厚度为1μm～5μm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤四中涂布光刻胶的厚度为0.2μm～2μm；步骤七中涂布光刻胶的厚度为1μm～5μm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤六和步骤十中都分别是在干法灰化去胶机台中采用干法灰化去胶方法将光刻胶和有机刻蚀反应聚合物去除。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅晶圆的厚度为725μm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述正面硅通孔的孔径为100μm～150μm。