[发明专利]一种用于DRAM修复测试的数据压缩输出方法无效

专利信息
申请号: 201310088814.0 申请日: 2013-03-19
公开(公告)号: CN103187101A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 亚历山大;王春娟 申请(专利权)人: 西安华芯半导体有限公司
主分类号: G11C29/08 分类号: G11C29/08
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 陈广民
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 dram 修复 测试 数据压缩 输出 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于芯片设计领域,涉及一种用于DRAM修复测试的数据压缩输出方法。

背景技术

DRAM的最基本单元是由成千上万的cell单元(每一个单元称之为bit)组成,而目前没有任何一种工艺能够保证所有的cell单元都是正确的,因此在前端测试中一旦发现某个单元有问题,我们利用冗余的单元对坏掉的单元进行修复;

参见图1,对内存进行读写操作的时候,字线WL以及位线CSL会被激活,其所对应得cell单元则被激活;每一根位线CSL及字线WL的交点对应的是8个cell单元;以DDR2X16的芯片为例,每次读写为64个bit,则需要激活1根WL以及8个CSL,共8个交点,对应的是64个cell单元;

参见图2,每一个cell的测试结果信息都需要被记录下来;对于内存测试常用的Advantest T5377而言,每个时钟周期只能读出1位bit;因此记录下这64bit信息,需要16个机台的channel以及2个时钟周期;

在此种方式下,每个芯片需要连接16个IO通道,4个周期方能满足我们读出64个bit的需求;机台所能提供的IO通道是有限的,以Advantest T5377为例,它有1280个IO通道,如果每个芯片需要连接16个IO通道,则最多只能同时测试80个芯片;而这个同测数远不能满足我们量产的需求,同时根据工艺的复杂程度成本也随之增加,读取的时间也相对较长。

发明内容

为了保证修复芯片所用数据的正确输出以及节省成本,需要有足够的输入输出通道(I/O)和时间使其数据全部正确输出,本发明提供一种用于DRAM修复测试所用的数据压缩输出方法。

本发明的技术解决方案是:

1、一种用于DRAM修复所需的数据压缩输出方法,该发明步骤如下:

1)读取32位cell单元的数值;

2)通过芯片内部的算法判断cell单元是否存在fail,如果cell单元没有fail,则结果值为“1”,如果芯片单元有fail,则结果值为“0”;

3)芯片内部对32位cell单元的结果值进行“与”的运算:

最终结果=(单元1结果)“与”(单元2结果)“与”(单元3结果)“与”…“与”(单元31结果)“与”(单元32结果);

4)输出32位cell单元的唯一最终结果值;

5)测试机台得到32位cell单元的结果后,如果结果为“0”,则说明存在坏掉的位线CSL,运行处理程序使冗余的CSL代替坏掉的位线CSL;如果结果为“1”,则说明没有坏掉的位线CSL。

2、一种用于DRAM修复所需的数据压缩输出方法,该发明步骤如下:

1)读取8位cell单元的数值;

2)通过芯片内部的算法判断cell单元是否存在fail,如果cell单元没有fail,则结果值为“1”,如果cell单元有fail,则结果值为“0”;

3)芯片内部对8位cell单元的结果值进行“与”的运算:

输出结果=(单元1结果)“与”(单元2结果)“与”(单元3结果)“与”(单元4结果)“与”(单元5结果)“与”(单元6结果)“与”(单元7结果)“与”(单元8结果);

4)输出8位cell单元的唯一最终结果值;

5)测试机台得到8位cell单元的结果后,如果结果为“0”,则说明存在坏掉的位线CSL,运行处理程序使冗余的CSL代替坏掉的CSL;如果结果为“1”,则说明没有坏掉的位线CSL。

本发明的优点:

1、本发明采用高压缩比的数据输出压缩方式,减少了输入输出通道,增加了同测数的可能性,并且降低测试时间;

2、本发明因压缩方式的改变大大降低了测试成本;

3、本发明所提供的数据输出压缩比的选择,使其相比于普通无压缩比的情况下,依旧可以增加同测数,降低测试时间。

附图说明

图1是现有工艺对内存进行读写操作的激活方式;

图2是现有cell的测试结果信息记录方式;

图3是本发明采用8位cell单元提高同测数的输出方式;

图4是本发明采用8位cell单元提高时钟周期的输出方式;

图5是本发明采用32位cell单元的输出方式;

具体实施方式

本发明一种用于DRAM修复所需的数据压缩输出方法,该发明步骤如下:

1)读取32位cell单元的数值;

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