[发明专利]薄层氧化石墨烯材料的制备方法

权利要求书

1.一种薄层氧化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，包括：取石墨烯微片至少与酸溶剂混合反应，获得薄层氧化石墨烯。

2.根据权利要求1所述的薄层氧化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，包括：石墨烯微片与酸溶剂和氧化剂混合均匀反应，获得薄层氧化石墨烯。

3.根据权利要求1或2所述的薄层氧化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，该方法还包括：将所述薄层氧化石墨烯与还原剂混合进行还原反应，获得还原的薄层氧化石墨烯。

4.根据权利要求1所述的薄层氧化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，所述酸溶剂包括发烟硫酸、浓硫酸、浓硝酸、氯磺酸、氟磺酸或三氟甲磺酸；

所述氧化剂包括高锰酸盐、高铁酸盐、锇酸盐、钌酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、硝酸盐、四氧化锇、四氧化钌或二氧化铅。

5.根据权利要求1或4所述的薄层氧化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，当所述氧化剂和酸溶剂分别为高锰酸钾和浓硫酸时，所述石墨烯微片、浓硫酸与高锰酸钾的质量比为1∶30～90∶1～8；

或者，当所述氧化剂和酸溶剂分别为浓硝酸和浓硫酸时，所述石墨烯微片、浓硫酸、浓硝酸的质量比为1∶30～90∶70～210。

6.根据权利要求1所述的薄层氧化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，混合反应的条件包括：温度为0℃至90℃，反应时间为1～4h。

7.根据权利要求3所述的薄层氧化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，所述还原剂包括肼、碘化物、膦、亚磷酸盐、硫化物、亚硫酸盐、亚硫酸氢盐、硼氢化物、氰基硼氢化物、氢化铝、硼烷、羟胺、二亚胺、还原金属或氢气。

8.根据权利要求3所述的薄层氧化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，所述还原反应的条件包括：温度为90℃～100℃，反应时间为1h～50h。

9.根据权利要求1或2所述的薄层氧化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，该方法还包括：将薄层氧化石墨烯或还原的薄层氧化石墨烯均匀分散于溶剂中，获得稳定分散的薄层氧化石墨烯分散液或还原的薄层氧化石墨烯分散液。

10.根据权利要求9所述的薄层氧化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，所述薄层氧化石墨烯分散液中所含薄层氧化石墨烯与溶剂的体积比为1～5∶5～25，还原的薄层氧化石墨烯分散液中所含还原的薄层氧化石墨烯与溶剂的体积比为1～5∶5～25；

所述溶剂包括水、水溶液或有机溶剂，所述水溶液包括pH值为8～12的碱液，所述有机溶剂包括乙醇、甲醇、丙酮、乙腈、乙二醇，乙酸、甲酸、乙酸乙酯、吡啶或甲苯。