[发明专利]上电复位电路

说明书

技术领域

本发明涉及电路技术领域，特别涉及一种上电复位电路。

背景技术

上电复位信号是微控制器等时序电路中的一个至关重要的信号。复位信号的可靠性是微控制器等时序电路、芯片等是否能够正常运行的关键。在目前的方案中，少数电子设备、芯片等是由外部专门的上电复位芯片来提供复位信号，大多数是内置上电复位电路来提供复位信号。

图1、图2、图3中示出了目前传统的三种上电复位电路的电路结构示意图，图1所示的上电复位电路，是通过检测电源上电边沿的方式实现上电复位，在检测到电源上电边沿时，输出复位信号，图2所示的上电复位电路，是通过检测电源电压的方式实现上电复位，在检测到电源电压高于某个设定的阈值时输出复位信号，图3所示的上电复位电路，通过同时检测电源上电边沿和电源电压的方式，来输出复位信号。在这些上电复位电路的实现方式中，检测电源上电边沿的方式，容易对极缓慢的上电失效，检测电源电压的方式，容易对快速的上电失效，同时检测电源上电边沿和电源电压的方式，虽然结合了二者的优点，但是在电源质量不好的情况下，容易受到干扰，出现误复位的动作，因而严重影响了上电复位电路的可靠性。

发明内容

基于此，针对上述现有技术中的上电复位电路可靠性低的问题，提供一种上电复位电路，其可以不受上电速度影响，可靠性高。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种上电复位电路，包括复位信号产生电路，所述复位信号产生电路包括：启动电阻电路，电容C0，PMOS管Mp0，PMOS管Mp1，PMOS管Mp2，NMOS管Mn0，NMOS管Mn1，NMOS管Mn2；

PMOS管Mp0的第一金属极、启动电阻电路、电容C0、NMOS管Mn2的栅极分别接入电源VDD，PMOS管Mp0的第二金属极与PMOS管Mp1的第一金属极连接，PMOS管Mp1的第二金属极与PMOS管Mp2的第一金属极连接，PMOS管Mp2的第二金属极与NMOS管Mn1的第一金属极连接，启动电阻电路的另一端、电容C0的另一端、PMOS管Mp2的栅极、NMOS管Mn1的栅极与NMOS管Mn0的栅极和第一金属极相互连接，NMOS管Mn0的第二金属极与NMOS管Mn2的第一金属极连接，PMOS管Mp0的栅极、PMOS管Mp1的栅极、NMOS管Mn1的第二金属极、NMOS管Mn2的第二金属极接地。

根据本发明的上电复位电路，无论是电源VDD上电速度快还是慢，都可以有效地输出复位信号，使芯片复位，提高了上电复位的可靠性。

附图说明

图1是传统的其中一种上电复位电路的电路结构示意图；

图2是传统的第二种上电复位电路的电路结构示意图；

图3是传统的第三种上电复位电路的电路结构示意图；

图4是本发明的上电复位电路实施例一的电路结构示意图；

图5是本发明方案中所采用的半施密特反相器的电路结构示意图；

图6是本发明的上电复位电路实施例二的电路结构示意图；

图7是本发明的上电复位电路实施例三的电路结构示意图；

图8是本发明的上电复位电路实施例四的电路结构示意图。

具体实施方式

以下结合其中的较佳实施方式对本发明方案进行详细说明。需要说明的是，在下述实施例中的本发明的上电复位电路中，会涉及到NMOS管、PMOS管，NMOS管、PMOS管都分别有相应的源极S、漏极D、栅极G，而由于NMOS管、PMOS管的对称性结构，在将NMOS管、PMOS管进行连接时，源极S、漏极D的连接位置实质上是可以互换的。考虑到在制作NMOS管、PMOS管时，一般都是通过用金属铝引出两个电极来分别作为源极S和漏极D，因此，在下述对本发明的较佳实施方式的说明中，为了便于说明，是以第一金属极来表示NMOS管或者PMOS管的源极S、漏极D中的任意一个，以第二金属极来表示NMOS管或者PMOS管的源极S、漏极D中的另外一个，这里的第一金属极、第二金属极仅仅只是为了从名称上加以区分，并不用以限定是NMOS管或者PMOS管的源极S、漏极D。例如，在实际制作电路结构时，在其中一个NMOS管中，第一金属极可能是源极S，在另一个NMOS管中，第一金属极可能是漏极D。

实施例一

图4中示出了本发明的上电复位电路实施例一的电路结构示意图。在该实施例中，以电阻作为启动电阻电路为例进行说明。

如图4所示，在本实施例一中，该上电复位电路包括有复位信号产生电路。