[发明专利]静态随机存储器及其存取控制方法及其位线预充电电路

权利要求书

1.一种静态随机存储器的位线预充电电路，包括充电单元，所述充电单元包括晶体管PP1、晶体管PP2、晶体管PEQ，其特征在于：还包括或门电路OR，所述或门电路OR的输入端接列选择信号SEL_n和控制信号APREN，所述或门电路OR的输出端输出预充电控制信号PREN_n给充电单元。

2.基于权利要求1所述的预充电电路的静态存储器，包括由存储单元组成的m行×n列存储单元阵列和n个位线充电电路，其特征在于：所述位线充电电路包括充电单元和或门电路OR；

所述充电单元包括晶体管PP1、晶体管PP2、晶体管PEQ；

所述或门电路OR的输入端接列选择信号SEL_n和控制信号APREN，所述或门电路OR的输出端输出预充电控制信号PREN_n给充电单元。

3.一种权利要求2所述的静态存储器的控制方法，其特征在于：包括以下步骤：

1】对静态存储器中的存储单元阵列进行预充电：

1.1】将所有字线WL_1…WL_m都关断；

1.2】打开位线充电电路，或门电路OR的输入端接收对应的列选择信号SEL_n和控制信号APREN，或门电路OR的输出端输出预充电控制信号PREN_n；

此时列选择信号SEL_n的状态为不选择，控制信号APREN的状态为充电，则预充电控制信号PREN_n的状态为预充电，整个存储单元阵列的所有列都处于预充电状态；

2】停止预充电：将或门电路OR接收到的控制信号APREN状态选为停止预充电，则控制信号PREN_n的状态为停止充电，存储单元阵列中的所有列的预充电均结束；

3】选择读写操作的列：

将需要进行读写操作的列选择信号SEL_n的状态选为选择，则对应的列被选中，即可对该列进行读写操作；

4】选择读写操作的行：

将需要进行读写操作的行的所对应的子线WL_n选为打开，所对应行的存储单元被选中，即可针对改行进行读写操作；

5】所选择的读写操作的列与读写操作的行的相交处为读写操作单元，针对确定的读写操作单元进行读写操作；

6】等待完成对存储单元的读写，又回到步骤1】。