[发明专利]多晶硅碱性制绒方法有效
| 申请号： | 201310086008.X | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103151425A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 李云;谢俊叶;马承鸿;倪明镜;李健 | 申请（专利权）人： | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘春生;于宝庆 |
| 地址： | 010111 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 碱性 方法 | ||
1.一种多晶硅碱性制绒方法，其特征在于，包括下述步骤：
（1）配制碱性腐蚀液，其中NaNO2、NaOH和去离子水的质量比为8：1：50至10：1：50；
（2）将多晶硅片放入腐蚀液中制绒，腐蚀液的温度为75至80℃，制绒时间为25至45秒；
（3）以去离子水漂洗硅片，漂洗时间约为2分钟；
（4）以酸性溶液漂洗硅片，酸性溶液中HCl、HF和去离子水的体积比为1：3：8，漂洗时间为120至150秒；
（5）以去离子水再次漂洗硅片，漂洗时间约为2分钟；
（6）将硅片烘干。
2.如权利要求1中所述的多晶硅碱性制绒方法，其特征在于，在步骤（2）中，NaNO2用作氧化剂，在硅片表面形成SiO2层，其中化学反应式为NaNO2→Na++NO2-、Si+2NO2-→SiO2+2NO。
3.如权利要求1中所述的多晶硅碱性制绒方法，其特征在于，在步骤（2）中，NaOH用以去除表面的SiO2层，其化学反应式为2NaOH+SiO2=Na2SiO3+H2O。
4.如权利要求1中所述的多晶硅碱性制绒方法，其特征在于，在步骤（2）中，去离子水用以控制反应过程的速度，起到缓冲作用。
5.如权利要求1中所述的多晶硅碱性制绒方法，其特征在于，经过步骤（2）处理后，多晶硅厚度减少3.0至3.8微米，其表面被腐蚀出大量的凹槽与凹坑。
6.如权利要求1中所述的多晶硅碱性制绒方法，其特征在于，在步骤（4）中，酸性溶液是用以去除硅片表面金属离子，同时中和表面残留的碱性腐蚀液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
