[发明专利]光电半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电半导体装置的制造方法，包含：

形成一半导体系统于一暂时基板上；

形成一界面层于该半导体系统上方及其数个侧表面上；

准备数个电性接点；

使所述电性接点插入该界面层中以电连接至该半导体系统；以及

移除该暂时基板。

2.如权利要求1所述的制造方法，还包含提供一导电体位于所述电性接点远离该半导体系统的一侧。

3.如权利要求1所述的制造方法，还包含形成一上电极于该半导体系统远离所述电性接点的一侧，其中，所述电性接点中位于该上电极下方的电性接点的高度低于所述电性接点中未位于该上电极下方的电性接点的高度。

4.如权利要求1所述的制造方法，还包含在形成该界面层之前移除该半导体系统的一部分。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中所述电性接点的高度不全然一致。

6.一种光电半导体装置，包含：

一半导体系统，具有数个侧表面、一上表面和一下表面；

一界面层，位于该下表面和所述侧表面上；

数个电性接点，具有不全然相同的高度，并插入该界面层中以电连接至该半导体系统；以及

一导电体，位于所述电性接点之下。

7.如权利要求6所述的光电半导体装置，还包含一上电极，位于该半导体系统远离所述电性接点的一侧，其中，所述电性接点中位于该上电极下方的电性接点的高度低于所述电性接点中未位于该上电极下方的电性接点的高度。

8.如权利要求6所述的光电半导体装置，还包含一反射层位于该上表面上。

9.如权利要求6所述的光电半导体装置，还包含一中介层位于所述电性接点上，且未将所述电性接点完全平坦化。

10.如权利要求6所述的光电半导体装置，其中该界面层的部分位于所述电性接点中至少部分及该半导体系统之间。