[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一像素区域和与之相邻的第二像素区域；

在所述基底内形成浅沟槽，所述浅沟槽位于第一像素区域和第二像素区域之间；

形成覆盖所述浅沟槽的底部和侧壁的隔离层；

形成所述隔离层后，在所述浅沟槽内形成导电层；

形成覆盖所述导电层的介电层，所述介电层和隔离层共同包裹所述导电层。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述介电层内形成导电柱，所述导电柱与导电层电连接。

3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于基底表面的导电元件或电路，所述导电元件或电路通过导电柱与导电层电连接。

4.如权利要求2所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述基底、介电层表面的层间介质层；形成位于所述层间介质层内的导电插塞，所述导电插塞与导电柱电连接。

5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述导电插塞的形成过程为：刻蚀所述层间介质层形成第三开口，所述第三开口暴露出部分导电柱；在所述第三开口内填充导电材料形成导电插塞。

6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述导电插塞和导电柱在同一工艺步骤中形成。

7.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述层间介质层前，在所述第一像素区域或第二像素区域的基底表面形成晶体管，所述导电插塞与晶体管的栅极电连接。

8.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：形成导电插塞后，在所述层间介质层表面形成互连金属线，所述互连金属线与所述导电插塞电连接。

9.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：当所述第一像素区域或第二像素区域的基底内形成有有源区时，所述有源区与所述导电插塞电连接。

10.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成工艺为氧化工艺或化学气相沉积工艺。

11.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

12.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述导电层的形成工艺为沉积工艺。

13.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料为多晶硅、钨、铜、钛或氮化钛。

14.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一像素区域和与之相邻的第二像素区域；

位于所述基底内的浅沟槽，所述浅沟槽位于第一像素区域和第二像素区域之间；

覆盖所述浅沟槽的底部和侧壁的隔离层；

位于所述浅沟槽内的隔离层表面的导电层；

覆盖所述导电层的介电层，所述介电层和隔离层共同包裹所述导电层。

15.如权利要求14所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述介电层内的导电柱，所述导电柱与导电层电连接。

16.如权利要求15所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述基底表面的导电元件或电路，所述导电元件或电路通过导电柱与导电层电连接。

17.如权利要求15所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：覆盖所述基底、介电层表面的层间介质层；位于所述层间介质层内的导电插塞，所述导电插塞与导电柱电连接。

18.如权利要求17所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第一像素区域或第二像素区域的基底表面的晶体管，所述导电插塞与晶体管的栅极电连接。

19.如权利要求17所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述层间介质层表面的互连金属线，所述互连金属线与所述导电插塞电连接。