[发明专利]晶圆表面凹陷缺陷的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及晶圆表面凹陷缺陷的处理方法。

背景技术

晶圆生产过程的缺陷控制一向是集成电路缺陷控制工作中的一个难点。现有技术中，在铜化学机械研磨工艺后如果存在晶圆表面存在缺陷，传统的缺陷控制方法是通过判断该缺陷是否通过清洗晶圆表面而去除的缺陷，如果该缺陷可以通过清洗晶圆表面而去除，则对晶圆表面进行清洗步骤，以防止该缺陷影响晶圆的良率，但是如果该缺陷是不能通过清洗而去除的缺陷，比如凹陷缺陷，现有技术并无对应的处理方法，因此，直接将带有凹陷缺陷的晶圆进行后续的工艺步骤。

在实际中发现，对于晶圆上的凹陷缺陷不进行处理，而直接后续流程会造成后续工艺步骤的二次缺陷问题。具体地，参考图1-图3所示的现有的晶圆制作过程流程示意图。请结合图1，晶圆10内形成有接触第一金属互连线11，所述晶圆10上形成有第一介质层12，所述第一介质层12上形成有第二金属互连线13，所述第二互连线13与第一金属互连线11通过导电插塞（未标出）电连接，所述第一介质层12表面形成有第一凹陷14。接着，请参考图2，在所述第一介质层12上形成第二介质层15，所述第二介质层15由于部分材料填充了原先的第一凹陷14（结合图1），因此在对应于第一凹陷14的位置，第二介质层15中形成的第二凹陷16。

接着，请参考图3，在所述第二介质层15中形成开口17。第二凹陷17依然存在，该第二凹陷17实际上是第一凹陷引起的二次缺陷，第一缺陷在铜化学机械研磨步骤可能不会对晶圆的良率有直接的影响，但是在后续的工艺步骤中（结合图2以及图3），该第一凹陷缺陷会导致其所在的位置产生包括金属残留、非正常图形残留等在内的二次缺陷，从而影响晶圆的良率。因此，需要一种晶圆表面的缺陷的处理方法。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆表面凹陷缺陷的处理方法，能够消除晶圆上的凹陷，减少由于凹陷对晶圆的良率的影响，以及减小凹陷引起的二次缺陷的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆上的凹陷的处理方法，所述晶圆上形成有第一介质层，所述第一介质层表面具有凹陷，包括：

在所述第一介质层上填充第二阻挡层，所述第二阻挡层至少填充满所述凹陷；

去除位于所述凹陷区域以外的多余的第二阻挡层。

可选地，所述第二阻挡层利用化学气相沉积工艺制作。

可选地，所述缺陷不小于3个，所述处理方法还包括：

在沉积所述第二阻挡层前，从所述缺陷中选3-10个缺陷；

测量选择的所述3-10个缺陷，从中确定深度最大的缺陷，所述第二阻挡层的厚度大于等于所述深度最大的缺陷的深度值。

可选地，所述第二阻挡层的材质为高电阻率材质。

可选地，所述第二阻挡层的材质为低介电常数材料。

可选地，利用化学机械研磨工艺去除所述凹陷区域以外的多余的第二阻挡层。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明利用第二阻挡层将凹陷填满，从而减少该凹陷对于良率的影响，减少由于该凹陷引起的二次缺陷的问题。

附图说明

图1－图3是现有技术的晶圆制作过程示意图；

图4是本发明一个实施例的晶圆上凹陷处理方法的流程示意图；

图5－图7是本发明一个实施例的晶圆上凹陷的处理方法剖面结构示意图。

具体实施方式

本发明解决的问题是提供一种晶圆上的凹陷的处理方法，能够消除晶圆上的凹陷，减少由于凹陷对晶圆的良率的影响，以及减小凹陷引起的二次缺陷的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆上的凹陷的处理方法，所述晶圆上形成有第一介质层，所述第一介质层表面具有凹陷，请结合图4所示的本发明一个实施例的晶圆上凹陷处理方法的流程示意图，所述缺陷处理方法包括：

步骤Ｓ1，在所述第一介质层上填充第二阻挡层，所述第二阻挡层至少填充满所述凹陷；

步骤Ｓ2，去除位于所述凹陷区域以外的多余的第二阻挡层。