[发明专利]防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法

权利要求书

1.一种防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于包括：

在已经形成浅隔绝沟道并且沉积了氧化硅薄膜的硅片上涂布光刻胶；

完成对光刻胶的曝光和显影，以暴露出氧化硅薄膜的将要湿法刻蚀的第一氧化硅区域和受到光刻胶保护的第二氧化硅区域；

在曝光和显影之后，在执行显影的同一显影机台内，在光刻胶图形上涂布含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液，并且加热使胺类化合物或多胺类化合物与光刻胶表面反应形成高分子交联的保护膜，从而固化光刻胶图形，随后去除多余的含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液；

执行湿法刻蚀以部分去除第一氧化硅区域上的氧化硅薄膜；

去除剩余光刻胶后可再次沉积氧化硅薄膜，从而在第一氧化硅区域和第二氧化硅区域形成不同厚度的氧化硅薄膜双栅氧。

2.一种防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于包括：

在已经形成浅隔绝沟道并且沉积了氧化硅薄膜的硅片上涂布光刻胶；

完成对光刻胶的曝光和显影，以暴露出氧化硅薄膜的将要湿法刻蚀的第一氧化硅区域和受到光刻胶保护的第二氧化硅区域；

在同一显影机台内，在光刻胶图形上涂布含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液，加热使胺类化合物或多胺类化合物与光刻胶表面反应形成高分子交联的保护膜，从而固化光刻胶图形，随后去除多余的含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液；

执行湿法刻蚀以完全去除第一氧化硅区域上的氧化硅薄膜；

去除剩余光刻胶后再次沉积氧化硅薄膜，从而在第一氧化硅区域和第二氧化硅区域形成不同厚度的氧化硅薄膜双栅氧。

3.根据权利要求1或2所述的防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于，去除多余的含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液的步骤包括：先用酸性溶液处理多余的含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液，再用去离子水去除多余的含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液。

4.根据权利要求1或2所述的防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于，含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液中还包括交联催化剂和/或表面活性剂。

5.根据权利要求1或2所述的防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于，含胺类化合物或多胺类化合物的交联材料溶液中胺类化合物或多胺类化合物的浓度范围为0.1wt%至100wt%；优选的，0.5%至10wt%。。

6.根据权利要求4所述的防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于，交联催化剂是溶于有机溶剂的非亲核型叔胺；非亲核型叔胺的浓度范围为0.1wt%至20wt%；优选的，0.5%至5wt%。

7.根据权利要求4所述的防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于，表面活性剂是溶于有机溶剂的非离子型表面活性剂；表面活性剂的浓度范围为50ppm至10000ppm；优选的，100ppm至1000ppm。

8.根据权利要求6或7所述的防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于，固化加热温度的范围为30℃至180℃；优选的，50℃至120℃。

9.根据权利要求6或7所述的防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于，固化加热时间的范围为15秒至300秒；优选的，30秒至120秒。

10.根据权利要求3所述的防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法，其特征在于，酸性溶液中的酸性化合物选自聚丙烯酸、聚异丁烯酸、聚乙烯基磺酸、烷基羧酸、芳基羧酸、烷基磺酸、芳基磺酸，酸性化合物在酸性溶液中的浓度范围为0.5wt%至20wt%，优选地1wt%至10wt%。