[发明专利]一种高级超维场转换液晶显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch，ADS)液晶显示装置及其制造方法。

背景技术

ADS技术是平面电场宽视角核心技术，其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场、以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率，并增大了透光效率。

传统的ADS液晶显示装置，均需要在彩膜(CF)基板2外表面通过溅射(Sputter)工艺涂覆一层氧化铟锡(ITO)薄膜层5，通过银点胶(Ag Paste)或导电胶带(Tape)8，使所述ITO与薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板1的焊盘(Pad)区域6的接地点(Ground Dotting Area)7连接，如图1所示；涂覆ITO薄膜层的目的是防止外界电场对ADS电场的干扰，进而防止因外界电场干扰而造成的显示画面异常的现象。

但是，传统ADS技术中采用的ITO薄膜层，其电阻率较高、导电性较差，不能很好屏蔽外界电场对ADS电场的干扰。另外，传统ADS技术中为防止静电(ESD)，在第二偏光片4中会散布一些导电粒子，使所述偏光片具有导电作用，不需要额外涂覆ITO薄膜层也能达到防止外界电场对ADS电场的干扰，但由于含有导电粒子的第二偏光片的表面电阻率较大、导电性能较差，因此，也不能很好屏蔽外界电场对ADS电场的干扰。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种ADS液晶显示装置及其制造方法，能有效防止外界电场对ADS电场的干扰，进而能有效避免因外界电场干扰造成的显示画面异常的现象。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供了一种高级超维场转换ADS液晶显示装置，包括：第一基板、与所述第一基板对盒的第二基板、贴覆于所述第一基板上的第一偏光片、以及贴覆于所述第二基板上的第二偏光片；其中，所述ADS液晶显示装置还包括石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜贴覆于所述第二偏光片中。

这里，所述第二偏光片依次包括：胶层、第一支撑保护层、偏光子层、第二支撑保护层、以及表面处理层；所述石墨烯薄膜贴覆于所述第二偏光片中为：所述石墨烯薄膜贴覆于所述第二偏光片各层中的任意层上；

所述ADS液晶显示装置还包括银点胶或导电胶带；所述石墨烯薄膜通过所述银点胶或导电胶带与所述第一基板上焊盘区域上的接地点连接。

本发明还提供了一种上述ADS液晶显示装置的制造方法，包括：将第一基板与第二基板对盒；在所述第一基板上贴覆第一偏光片；在所述第二基板上贴覆第二偏光片；其中，所述方法还包括：将石墨烯薄膜贴覆于所述第二偏光片中。

这里，所述将石墨烯薄膜贴覆于所述第二偏光片中为：采用卷对卷工艺将所述石墨烯薄膜贴覆于所述第二偏光片各层中的任意层上。

所述方法还包括：通过所述银点胶或导电胶带，将所述石墨烯薄膜与所述第一基板上焊盘区域上的接地点连接。

本发明所提供的ADS液晶显示装置及其制造方法，采用石墨烯薄膜替代ITO材料，且通过卷对卷工艺将所述石墨烯材料和偏光片结合在一起，使得所述偏光片具有导电作用，如此，不需要额外涂覆ITO薄膜层也能达到防止外界电场对ADS电场产生干扰的作用，进而能防止因外界电场干扰而造成的显示画面异常的现象；而且，由于本发明采用的石墨烯薄膜，其电阻率低、导电性能强，因此，能更好地防止外界电场对ADS电场的干扰；同时，石墨烯薄膜是一种透明薄膜，不会影响到ADS显示的光学特性。

附图说明

图1为传统技术中ADS液晶显示装置的结构示意图；

图2为本发明ADS液晶显示装置的结构示意图；

图3为本发明第二偏光片一实施例的组成结构示意图。

附图标记说明

1、TFT基板，2、彩膜基板，3、第一偏光片，4、第二偏光片，5、ITO薄膜层，6、第一基板上的焊盘，7、接地点，8、银点胶或导电胶带，9、石墨烯薄膜，41、胶层，42、第一支撑保护层，43、偏光子层，44、第二支撑保护层，45、表面处理层

具体实施方式

下面将结合具体实施例及附图对本发明的实施方式进行详细描述。