[发明专利]具有嵌入式MOS变容二极管的FinFET及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

位于衬底上方的第一FinFET，所述第一FinFET包括第一组半导体鳍；以及

位于所述衬底上方的用于所述第一FinFET的第一体接触部，所述第一体接触部包括第二组半导体鳍，并且所述第一体接触部横向地与所述第一FinFET相邻。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一组半导体鳍包括至少两个半导体鳍，而所述第二组半导体鳍包括至少两个半导体鳍。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一组半导体鳍与所述第二组半导体鳍平行。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一FinFET还包括位于所述第一组半导体鳍上方的至少一个具有第一宽度和第一长度的有源栅极以及位于所述第一组半导体鳍上方的至少一个伪栅极，并且所述第一体接触部还包括位于所述第二组半导体鳍上方的至少一个具有第二宽度和第二长度的伪栅极。

5.一种FinFET器件，包括：

位于衬底上方的第一FinFET，所述第一FinFET包括：

多个第一鳍；和

位于所述多个第一鳍上方的至少两个有源栅极；以及

位于所述衬底上方的用于所述第一FinFET的第一体接触部，所述第一体接触部包括：

多个第二鳍；和

位于所述多个第二鳍上方的至少两个有源栅极。

6.根据权利要求5所述的FinFET器件，其中，位于所述多个第二鳍上方的所述至少两个有源栅极形成MOS变容二极管。

7.一种用于形成FinFET器件的方法，所述方法包括：

形成第一FinFET，包括：

在衬底上方形成多个第一鳍；

在所述多个第一鳍上方形成至少两个有源栅极；和

在所述多个第一鳍中形成至少两个源极区和至少两个漏极区；以及

形成用于所述第一FinFET的第一体接触部，包括：

在衬底上方形成多个第二鳍；

在所述多个第二鳍上方形成至少两个伪栅极；和

在所述多个第二鳍中形成至少两个体接触区。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述方法还包括形成第一MOS变容二极管，形成所述第一MOS变容二极管包括在所述多个第二鳍上方形成至少两个有源栅极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括形成去耦电容器，形成所述去耦电容器包括将位于所述多个第二鳍上方的至少两个有源栅极电连接至偏压节点。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，还包括：

形成第二FinFET，包括：

在衬底上方形成多个第三鳍；

在所述多个第三鳍上方形成至少两个有源栅极；和

在所述多个第三鳍中形成至少两个源极区和至少两个漏极区；以及

形成用于所述第二FinFET的第二体接触部，包括：

在所述衬底上方形成多个第四鳍；

在所述多个第四鳍上方形成至少两个伪栅极；和

在所述多个第四鳍中形成至少两个体接触区。