[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的漂移层(4)；

在所述漂移层(4)上的第二导电类型的体区(7)；

在所述体区(7)上的第一导电类型的源区(8)；

穿过源区(8)、体区(7)延伸进入漂移层(4)的沟槽结构（9），所述沟槽结构包括至少一个栅电极(12)和绝缘结构(10)，其中，所述绝缘结构(10)的一部分在体区(7)下面延伸；

复合中心，用于增加载流子复合；以及

用于将所述源区(8)连接到源金属层(22)的接触插塞(21)，其中，所述接触插塞(21)是多晶硅插塞，所述多晶硅插塞包含铂硅化物微晶。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟槽结构（9）还包括场板(13)，以及所述绝缘结构(10)将场板(13)与栅电极(12)彼此绝缘，并且将场板(13)和栅电极(12)与漂移层(4)、体区(7)以及源区(8)绝缘。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在相邻沟槽之间限定台面区，并且所述台面区包括所述源区(8)、体区(7)以及台面漂移区，所述台面漂移区是夹在相邻沟槽之间的漂移层(4)的部分。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述接触插塞(21)中包括复合中心。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中在所述台面区中包括复合中心。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述复合中心是辐照诱导的缺陷。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述复合中心是替代驻留在晶格位置上的金属材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述体区(7)中的第二导电类型的重掺杂区(5)。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述体区(7)中的第二导电类型的重掺杂区(5)，并且所述接触插塞(21)还接触所述体区和所述重掺杂区(5)。

10.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述沟槽结构比所述台面区更宽。

11.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述源区和体区比所述台面漂移区更宽。

12.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述源区和体区比所述台面漂移区宽至少绝缘结构的平均宽度的75%。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述源区和体区比所述台面漂移区宽不超过绝缘结构的平均宽度的100%。

14.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述金属材料是铂、金、钯、钒或铱。

15.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述场板(13)被电耦合到源金属层。

16.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述场板电耦合到栅电极。

17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是MOSFET器件。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是IGBT器件。

19.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

形成第一导电类型的漂移层(4)，

在所述漂移层(4)上形成第二导电类型的体区(7)；

在所述体区(7)上形成第一导电类型的源区(8)；

形成穿过源区(8)、体区(7)延伸进入漂移层(4)的沟槽结构（9），所述沟槽结构包括至少一个栅电极(12)和绝缘结构(10)，其中，所述绝缘结构(10)的一部分在体区(7)下面延伸,

形成用于增加载流子复合的复合中心，以及

形成用于将所述源区(8)连接到源金属层(22)的接触插塞(21)，其中，所述接触插塞(21)是多晶硅插塞，所述多晶硅插塞包含铂硅化物微晶。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述沟槽结构还包括场板(13)，以及所述绝缘结构(10)将场板(13)与栅电极(12)彼此绝缘，并且将场板(13)和栅电极(12)与漂移层(4)、体区(7)以及源区(8)绝缘。