[发明专利]对在半导体芯片中的环境状况的检测有效
申请号: | 201310082881.1 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN103308095A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | H-J.巴特;H.鲍迈斯特;P.鲍姆加特纳;P.里斯;J.威勒达克吕格 | 申请(专利权)人: | 英特尔移动通信有限责任公司 |
主分类号: | G01D21/00 | 分类号: | G01D21/00;G01N27/22;H01L23/64 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;卢江 |
地址: | 德国诺*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 中的 环境 状况 检测 | ||
1. 一种电路,包括:
第一晶体管,具有栅极且还具有电流通路,该电流通路由第一晶体管的栅极控制且耦合在第一输入节点和电容器的第一节点之间;
第二晶体管,具有栅极且还具有电流通路,该电流通路由第二晶体管的栅极控制且耦合在第二输入节点和电容器的第一节点之间;
第三晶体管,具有栅极且还具有电流通路,该电流通路由第三晶体管的栅极控制且耦合在第三输入节点和电容器的第二节点之间;和
第四晶体管,具有栅极且还具有电流通路,该电流通路由第四晶体管的栅极控制且耦合在第四输入节点和电容器的第二节点之间,
其中,第一和第二晶体管要么都是n型晶体管,要么都是p型晶体管,且第三和第四晶体管要么都是n型晶体管,要么都是p型晶体管。
2. 权利要求1的电路,其中第一、第二、第三和第四晶体管中的每个均包括NMOS晶体管。
3. 权利要求1的电路,还包括:信号发生器,被配置为生成第一周期信号和第二周期信号,且向第一和第三晶体管的栅极提供第一周期信号并向第二和第四晶体管提供第二周期信号,其中第一和第二周期信号彼此异相180度。
4. 权利要求3的电路,其中第一和第二周期信号是正弦信号。
5. 权利要求3的电路,还包括:直流(DC)电压发生器,被配置为施加第一和第二输入节点两端的第一DC电压以及第三和第四节点两端的第二DC电压。
6. 权利要求5的电路,其中DC电压发生器还被配置成随时间不按特定的顺序施加第一和第二DC电压的以下四个排列:
第一排列,其中第一DC电压是+X伏特而第二DC电压是+X伏特;
第二排列,其中第一DC电压是+X伏特而第二DC电压是-X伏特;
第三排列,其中第一DC电压是-X伏特而第二DC电压是-X伏特;和
第四排列,其中第一DC电压是-X伏特而第二DC电压是+X伏特,
其中X是正值。
7. 权利要求6的电路,还包括:
至少一个电流测量设备,被配置为测量经过第一、第二、第三和第四DC输入节点的电流,而第一和第二DC电压的四个排列被施加;和
控制器,被配置为基于所测量的电流的组合来确定值。
8. 权利要求1的电路,其中第一、第二、第三和第四晶体管都是n型晶体管。
9. 权利要求1的电路,其中第一、第二、第三和第四晶体管都是p型晶体管。
10. 一种方法,包括:
向电路的第一节点施加第一周期信号且向该电路的第二节点施加第二周期信号,其中第一和第二周期信号彼此异相180度,并且其中电容器耦合到该电路;
在正在施加第一和第二周期信号的同时,施加该电路的第三和第四节点两端的第一DC电压和该电路的第五和第六节点两端的第二DC电压;
在正在施加第一和第二DC电压的同时,测量经过第三、第四、第五和第六节点的电流;和
基于测量的电流,确定与电容器的电容成比例的值。
11. 权利要求10的方法,其中所述施加第一和第二DC电压包括随时间不按特定的顺序施加第一和第二DC电压的以下四个排列:
第一排列,其中第一DC电压是+X伏特而第二DC电压是+X伏特;
第二排列,其中第一DC电压是+X伏特而第二DC电压是-X伏特;
第三排列,其中第一DC电压是-X伏特而第二DC电压是-X伏特;和
第四排列,其中第一DC电压是-X伏特而第二DC电压是+X伏特,
其中X是正值。
12. 权利要求11的方法,其中所述测量包括在四个排列中的每个期间测量电流,并且其中所述确定包括:
对于四个排列中的每个,对在相应排列期间测量的电流求和,以得到第一排列的第一总电流、第二排列的第二总电流、第三排列的第三总电流和第四排列的第四总电流;和
基于第一、第二、第三和第四总电流来确定与电容器的电容成比例的值。
13. 权利要求12的方法,其中所述组合包括第一总电流减第二总电流加第三总电流减第三总电流。
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